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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
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NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線(xiàn) 靜待大廠(chǎng)減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續開(kāi)出下，9月下旬合約價(jià)續跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠(chǎng)表示，NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當接近各大廠(chǎng)成本線(xiàn)，若價(jià)格再跌，恐會(huì )讓NAND Flash廠(chǎng)產(chǎn)生虧損，接下來(lái)要看大陸十一長(cháng)假后是否出現補貨需求，帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌。 模塊廠(chǎng)表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買(mǎi)氣受限于現貨價(jià)跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
日元走強 東芝稱(chēng)仍有望實(shí)現芯片業(yè)務(wù)獲利
- 日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日圓走強，但該公司有望實(shí)現其在截至明年3月的會(huì )計年度，芯片業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利潤達到12億美元的預估，因新的電子設備熱銷(xiāo)，提高了芯片需求。 東芝芯片業(yè)務(wù)主管小林清志表示，因低質(zhì)產(chǎn)品供應過(guò)多，最近NAND芯片現貨價(jià)格下降，但這對東芝的影響極小。 NAND閃存芯片需求一直強勁，因受到智能手機和蘋(píng)果的iPad等移動(dòng)設備暢銷(xiāo)所助。 “整體需求強勁成長(cháng)情況一直符合我們對2010會(huì )計年度的預期，而且我們預計中國國慶節，黑色星期五
- 關(guān)鍵字： 東芝 芯片 NAND
2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%
- 由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠(chǎng)商有效去化庫存以及智能手機成長(cháng)力道強勁的情況下，下半年手機成長(cháng)幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱賣(mài)，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長(cháng)。 蘋(píng)果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機的熱賣(mài)，預估2010年手機出貨量將較2009年成長(cháng)13%，達到13億支的規模，而智能手機市場(chǎng)扮演重要
- 關(guān)鍵字： 智能手機 NAND
2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠(chǎng)商有效去化庫存以及智能手機成長(cháng)力道強勁的情況下，下半年手機成長(cháng)幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱 賣(mài)，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長(cháng)。 蘋(píng)果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機的熱 賣(mài)，集邦科技預估，2010年手機出貨量將較2009年成長(cháng)13%，達到13億支的
- 關(guān)鍵字： NAND 智能手機
蘋(píng)果效應不再 NAND閃存價(jià)格持續下滑
- 臺灣媒體報道，來(lái)自存儲芯片制造商的消息稱(chēng)，盡管蘋(píng)果的iPhone和iPad銷(xiāo)售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價(jià)格在9月份上半月的下滑。 蘋(píng)果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動(dòng)NAND閃存價(jià)格的上漲，這倒是違背了此前出現的蘋(píng)果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應。之前蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)往往會(huì )導致NAND閃存市場(chǎng)的供不應求。 然而現實(shí)是，目前各個(gè)渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學(xué)生返校季和即將到來(lái)的內地十一黃金周也很難讓閃存價(jià)格反彈。 更有悲觀(guān)的
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
Gartner上調全球半導體營(yíng)收預期至3000億
- Gartner現在預計今年全球半導體營(yíng)收將達到3000億美元，比去年增長(cháng)31.5%。它之前預計今年半導體營(yíng)收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產(chǎn)品在半導體銷(xiāo)售中占大多數份額。手機出貨量持續增長(cháng)將推動(dòng)半導體營(yíng)收的增長(cháng)，而電腦出貨量增長(cháng)速度的減慢將被平板電腦銷(xiāo)售的增長(cháng)所抵消。 Gartner表示，盡管個(gè)人電腦銷(xiāo)售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營(yíng)收仍將增長(cháng)。DRAM營(yíng)收今年將增長(cháng)82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會(huì )從明年下半年開(kāi)始減慢增長(cháng)速度。Gartner預
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠(chǎng)開(kāi)始對模塊廠(chǎng)讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠(chǎng)，在面對庫存節節攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠(chǎng)開(kāi)始回補一些庫存，不過(guò)，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋(píng)果(Apple)訂單的撐腰，對于價(jià)格仍是相當強硬，顯示蘋(píng)果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
爾必達已與Spansion開(kāi)發(fā)出4G NAND閃存
- 爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開(kāi)發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結構，該公司計劃于2011年開(kāi)始在其日本西部的工廠(chǎng)批量生產(chǎn)該芯片。 這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動(dòng)柵(floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 爾必達 NAND
分析稱(chēng)三星或超英特爾成為第一大芯片廠(chǎng)商
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷(xiāo)售額或將在2014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃，三星的芯片營(yíng)收將很快超過(guò)英特爾，成為第一大芯片廠(chǎng)商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營(yíng)收將趕超英特爾的想法簡(jiǎn)直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營(yíng)收以13.5%年復合 增長(cháng)率(compound annual growth rate)的速度增長(cháng)，而英特爾同期的年復合增長(cháng)率僅為3.4%?；诖嗽鲩L(cháng)速率，IC Insights預計，三星的芯片銷(xiāo)售額
- 關(guān)鍵字： 三星芯片 DRAM NAND
Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶(hù)手中進(jìn)行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開(kāi)始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個(gè)存儲單元可存儲3位數據，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現有Intel與鎂光公司推
- 關(guān)鍵字： Intel 25nm NAND
英特爾和Micron稱(chēng)下一代25納米NAND取得突破
- 據國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開(kāi)始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶(hù)發(fā)售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個(gè)存儲單元中保存三位信息，而非像傳統芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱(chēng)，這種芯片是目前市場(chǎng)上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開(kāi)發(fā)組主管Tom Rampone聲稱(chēng)25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開(kāi)發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續為用戶(hù)探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 存儲芯片
iSuppli:閃存價(jià)格可能會(huì )跌到1美元/GB
- iSuppli今天警告稱(chēng)閃存價(jià)格可能崩潰性地調整到1美元/GB，這是因為用于閃存產(chǎn)品的NAND記憶體價(jià)格今年開(kāi)始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內存單元的價(jià)位開(kāi)始雪崩。 由于下降的價(jià)格，目前看上去過(guò)于昂貴的SSD將在兩年時(shí)間內開(kāi)始成為主流，而成本低得多的硬盤(pán)處理器則開(kāi)始在高端市場(chǎng)被SSD擠占。 此外，快閃記憶體價(jià)格的總體下降對于各種手持設備是一個(gè)極大的利好消息，各種手機、智能本廠(chǎng)商將會(huì )帶來(lái)更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價(jià)。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當地時(shí)間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 新NAND芯片每個(gè)存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱(chēng)這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱(chēng)，使用NAND閃存的數碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來(lái)越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶(hù)發(fā)送樣品，預計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 閃存芯片
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
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