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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過(guò)兩家公司并沒(méi)有透露他們什么時(shí)候會(huì )完成該標準規 范的制定工作，另外也沒(méi)有說(shuō)明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費級電子類(lèi)應用。 現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心
- 據了解，日商爾必達已決定來(lái)臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來(lái)臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來(lái)將與力晶等日系半導體業(yè)者進(jìn)一步合作。 據悉，爾必達與臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動(dòng)密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書(shū)，經(jīng)濟部正進(jìn)行審查中。 官員透露，爾必達來(lái)臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲器
- 關(guān)鍵字： TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導體市場(chǎng)強力支撐
- 全球半導體市場(chǎng)需求成長(cháng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷(xiāo)售額續創(chuàng )新高。就地區別來(lái)看，含大陸在內的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續成長(cháng)中，已成為全球半導體市場(chǎng)需求的強力支撐。然因市場(chǎng)對歐洲經(jīng)濟成長(cháng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷(xiāo)售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷(xiāo)售額達2
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
SEMICON West來(lái)臨之際那些分析師說(shuō)些什么？
- 編者點(diǎn)評：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過(guò)半，所以業(yè)界都會(huì )關(guān)心下半年與未來(lái)會(huì )是怎么樣。2010年半導體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業(yè)看似今年的增長(cháng)幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來(lái)，因為2010年業(yè)績(jì)的增長(cháng)仍顯不足于彌補之前的損失。而未來(lái)的前景有點(diǎn)模糊，增長(cháng)點(diǎn)來(lái)自哪里?似乎誰(shuí)也說(shuō)不清楚。 SEMICON West美國半導體設備展覽會(huì )即將開(kāi)幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場(chǎng)調研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業(yè)增長(cháng)96%
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 NAND DRAM
力晶聚焦NAND Flash 挑戰20納米
- 近期臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長(cháng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺幣70億元，是臺灣血統最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠(chǎng)仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
- 關(guān)鍵字： TIMC NAND
NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據iSuppli稱(chēng)，隨著(zhù)消費電子廠(chǎng)商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說(shuō)，當市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數據。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價(jià)格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠(chǎng)商產(chǎn)量不會(huì )由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應商將根據合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
因供不應求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據iSuppli稱(chēng)，隨著(zhù)消費電子廠(chǎng)商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說(shuō)，當市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數據。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價(jià)格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠(chǎng)商產(chǎn)量不會(huì )由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應商將根據合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
U-Boot在MPC8265平臺上的移植與分析
- U-Boot在MPC8265平臺上的移植與分析,如何根據開(kāi)發(fā)板的硬件資源設計引導加載程序是嵌入式系統設計的重點(diǎn)與難點(diǎn)。為解決引導加載程序的設計問(wèn)題，針對一個(gè)基于MPC-8265處理器的硬件系統平臺，分析了U-Boot的源碼結構組成和啟動(dòng)流程，并提出U-Boot的移植方法。該方法可廣泛應用于其他處理器及嵌入式系統。應用結果表明，移植后的U-Boot-1．2．0在開(kāi)發(fā)板上運行良好，可以成功穩定地引導Linux-2．6內核以及NFS根文件系統。
- 關(guān)鍵字： 分析 移植 平臺 MPC8265 U-Boot
10個(gè)理由看好或看衰半導體業(yè)
- 至此，對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂(lè )觀(guān)的，而且是有相當大的增長(cháng)。 但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔憂(yōu)，以下是對于2010年有10個(gè)理由來(lái)看好或者是看衰半導體業(yè)。 1. IC熱，然后冷 Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導體銷(xiāo)售額達2900億美元， 與2009年銷(xiāo)售額2280億美元相比增長(cháng)27.1%。與Gartner之前在第一季度的預測，2010年增長(cháng)19.9%相比有明顯提高。 芯片銷(xiāo)售額的增長(cháng)明顯超過(guò)系統產(chǎn)品銷(xiāo)售額的增
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
存儲器市場(chǎng)高漲 20大IC供應商重排座次
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導致與之相關(guān)連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠(chǎng)，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子，估計2010年它的銷(xiāo)售額離300億美元僅一步之遙，IC銷(xiāo)售額增長(cháng)達50%以上。 三星在本月初時(shí)，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 半導體制造
金士頓創(chuàng )辦人稱(chēng)：看好DRAM下半年銷(xiāo)售
- 6月3日消息，據臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng )辦人孫大衛昨天在臺表示，DRAM廠(chǎng)的制程轉換技術(shù)門(mén)檻不低，再加上智能手機等新的應用產(chǎn)品，帶動(dòng)DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應該會(huì )好。 孫大衛表示，DRAM制造廠(chǎng)越來(lái)越少，各大廠(chǎng)多進(jìn)入制程轉換的階段，總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應用產(chǎn)品紛紛出線(xiàn)下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現供不應求的情況。 南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠(chǎng)商非常緊張。孫大衛則認為，目前全球的
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 智能手機
存儲器市場(chǎng)高漲 引發(fā)全球前20大IC供應商排名大變
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導致與之相關(guān)連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠(chǎng)，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子，估計2010年它的銷(xiāo)售額離300億美元僅一步之遙，IC銷(xiāo)售額增長(cháng)達50%以上。 三星在本月初時(shí)，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
- 關(guān)鍵字： Hynix 存儲器 DRAM NAND
u-boot的Makefile分析
- u-boot的Makefile分析,U－BOOT是一個(gè)LINUX下的工程，在編譯之前必須已經(jīng)安裝對應體系結構的交叉編譯環(huán)境，這里只針對ARM，編譯器系列軟件為arm-linux-*。U－BOOT的下載地址： http://sourceforge.net/projects/u-boot
我下載的是1.1.6版本 - 關(guān)鍵字： Makefile分析 u-boot
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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