三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
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三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開(kāi)始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開(kāi)始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂(lè )等再生速度將更上一層樓。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/111204.htm三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開(kāi)發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將全部采用Toggle DDR2.0技術(shù)。
Toggle DDR2.0 NAND Flash較既有的SDR NAND Flash信息處理速度40Mbps快10倍，達400Mbps，也較處理速度133Mbps的Toggle DDR1.0高速NAND Flash快3倍。
三星在量產(chǎn)的同時(shí)，為使此規格能成為市場(chǎng)標準，也向JEDEC申請標準登記，2011年初可完成登記作業(yè)。此外日本東芝(Toshiba)也決定將參與Toggle DDR2.0的標準化作業(yè)。
半導體事業(yè)部存儲器策略營(yíng)銷(xiāo)副社長(cháng)全東守表示，三星2009年11月初量產(chǎn)30奈米制程高速NAND Flash等持續主導高效能NAND Flash市場(chǎng)成長(cháng)。未來(lái)搭載高速NAND Flash的4代智能型手機、平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)等各種產(chǎn)品的需求將會(huì )大幅增加，并帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)成長(cháng)。
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