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3nm gaa 文章 進(jìn)入3nm gaa技術(shù)社區
臺積電確認正研發(fā)3nm和4nm工藝：功耗降低30%、2022年量產(chǎn)
- 在臺積電第26屆技術(shù)研討會(huì )上，臺積電不僅確認5nm、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強版外，更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代，4nm理論上說(shuō)是5nm的終極改良。技術(shù)指標方面，3nm（N3）將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年投入大規模量產(chǎn)。相較于5nm，3nm將可以帶來(lái)25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。4nm（N4）同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶(hù)來(lái)說(shuō)，將能非常平滑地過(guò)渡到N4，也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。當
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臺積電披露3nm工藝更多細節信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍
- 據國外媒體報道，正如外媒此前所預期的一樣，芯片代工商臺積電在今日開(kāi)始的全球技術(shù)論壇上，披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細節信息。2020年的臺積電全球技術(shù)論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息，但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上，臺積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝，仍將繼續使用鰭式場(chǎng)效應（FinFET)晶體管，不會(huì )采用三星計劃在3nm工藝節點(diǎn)上使用的
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臺積電3nm依然由蘋(píng)果首發(fā)：iPhone 14、A16芯片
- 作為目前全球最強的晶圓代工一哥，臺積電在先進(jìn)工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢讓他們足以獨霸5年，不僅7nm領(lǐng)先，今年的5nm及未來(lái)的3nm工藝也要領(lǐng)先對手。臺積電的先進(jìn)工藝被多家半導體巨頭爭搶?zhuān)贿^(guò)在所有的“追求者”中，蘋(píng)果No.1的地位是無(wú)可替代的，不僅是最有錢(qián)的，還是需求量最高的，新一代工藝首發(fā)依然是蘋(píng)果專(zhuān)享。蘋(píng)果今年的A14、明年的A15處理器會(huì )使用5nm及5nm+工藝，再往后就是2022年的3nmnm工藝了，將由蘋(píng)果的A16處理器首發(fā)。當然，A16現在的規格還沒(méi)影，不過(guò)對性能提升不要抱太大希望，因為臺積電之前表示
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臺積電3nm工藝計劃明年風(fēng)險試產(chǎn) 有望提前大規模量產(chǎn)
- 7月30日消息，據國外媒體報道，在5nm芯片制程工藝二季度量產(chǎn)之后，臺積電下一步的工藝重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝，這一工藝有望先于他們的預期大規模量產(chǎn)。在二季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，臺積電CEO魏哲家再一次談到了3nm工藝，重申進(jìn)展順利，計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022年下半年大規模量產(chǎn)。但參考臺積電5nm工藝的風(fēng)險量產(chǎn)時(shí)間與大規模量產(chǎn)時(shí)間，他們3nm工藝的大規模量產(chǎn)時(shí)間，有望提前，先于他們的預期。從此前魏哲家在財報分析師電話(huà)會(huì )議上透露的情況來(lái)看，臺積電5nm工藝的研發(fā)設計，是在2018年的三季度完
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外媒：臺積電英特爾5nm及3nm CPU合作計劃正在推進(jìn)
- 【TechWeb】7月28日消息，據國外媒體報道，在周一的報道中，外媒報道稱(chēng)考慮將芯片交由第三方代工的芯片巨頭英特爾，已經(jīng)將2021年6nm芯片代工訂單交由芯片代工商臺積電，而從最新的報道來(lái)看，臺積電還有望獲得英特爾5nm及3nm CPU的代工訂單。從外媒的報道來(lái)看，英特爾交由臺積電的是即將推出的Ponte Vecchio GPU，采用臺積電成本稍低的6nm工藝，交付給臺積電的是18萬(wàn)晶圓的代工訂單。外媒在報道中表示，英特爾交給臺積電的18萬(wàn)片晶圓GPU代工訂單，并不算高，但在報道中卻提到了CPU代工的消
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3nm工藝太燒錢(qián) 沒(méi)有46億元別來(lái)流片
- 最近幾天，半導體行業(yè)出了一件大事，Intel宣布7nm工藝延期，導致公司股價(jià)大跌，而AMD及臺積電兩家公司股價(jià)創(chuàng )造了歷史新高，他們在先進(jìn)工藝上暫時(shí)是領(lǐng)先的。Intel現在遇到的工藝延期問(wèn)題有多方面原因，技術(shù)、人才、管理上都可以找到一堆理由，但是還有一個(gè)因素不容忽視，那就是先進(jìn)工藝越來(lái)越燒錢(qián)了。之前的數據顯示，28nm工藝開(kāi)發(fā)一款芯片的費用不過(guò)5130萬(wàn)美元，16nm工藝就超過(guò)1億美元，10nm工藝要1.74億美元，7nm工藝要3億美元?，F在Intel、臺積電、三星等公司的競爭已經(jīng)進(jìn)入5nm以下節點(diǎn)，設計芯
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臺積電3nm明年風(fēng)險生產(chǎn) 用于iPhone 13 A16芯片
- 外媒PhoneArena報道，全球最大的代工合同制造商是臺積電（TSMC），為那些具有自主設計但沒(méi)有生產(chǎn)設備的公司生產(chǎn)芯片。用于制造芯片的設備非常復雜且非常昂貴。例如，臺積電計劃今年在資本支出上會(huì )付出150億美元，臺積電的主要客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通和華為。今年，臺積電將為蘋(píng)果和華為交付其最先進(jìn)的芯片組，分別為A14 Bionic和海思麒麟1020。兩者都將使用臺積電的5nm工藝制造，這意味著(zhù)芯片內部的晶體管數量將增加約77％。這使得這些芯片比7nm芯片更強大、更節能。由于美國新的出口規定，臺積電將從9
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臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱(chēng)GAA)技術(shù)。臺積電臺媒稱(chēng)，三星已決定在3nm率先導入GAA技術(shù)，并宣稱(chēng)要到2030年超過(guò)臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠(chǎng)P4廠(chǎng)試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
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Intel 5年內量產(chǎn)納米線(xiàn)/納米帶晶體管！搭檔3nm？
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說(shuō)起半導體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數一數二的。在近日的國際超大規模集成電路會(huì )議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗室總監Mike Mayberry就暢談了未來(lái)的晶體管結構研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場(chǎng)效應管納米片結構，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節點(diǎn)上引入的，仍在持續推進(jìn)，而接下來(lái)最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結構，重新設計晶體管底層
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外媒稱(chēng)臺積電已開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn) 早于此前預期
- 據國外媒體報道，在5nm工藝順利量產(chǎn)之后，芯片代工商臺積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點(diǎn)，已經(jīng)放在了更先進(jìn)的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面，臺積電是計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022年上半年開(kāi)始大規模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線(xiàn)方面，外媒在今年3月底的報道中，是表示臺積電在今年10月份就會(huì )開(kāi)始安裝相關(guān)的生產(chǎn)設備。而在最新的報道中，出現了臺積電已提前開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)的消息。外媒在報道中表示，臺積電已經(jīng)開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)的設施，正在按進(jìn)度推進(jìn)。包括創(chuàng )始人張忠謀、現任CEO魏哲家在內的
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臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)
- 盡管2020年全球半導體行業(yè)會(huì )因為疫情導致下滑,但臺積電的業(yè)績(jì)不降反升,掌握著(zhù)7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財報會(huì )上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過(guò)這個(gè)技術(shù)會(huì )議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會(huì )議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預期,并沒(méi)有受到疫情影響,預計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線(xiàn)上,臺積電評估多種選擇后
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外媒：臺積電今年10月份開(kāi)始安裝3nm芯片生產(chǎn)設備
- 據國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開(kāi)始為相關(guān)客戶(hù)大規模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開(kāi)始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個(gè)重要節點(diǎn)。在2019年第四季度的財報分析師電話(huà)會(huì )
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面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機曝光
- 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實(shí)現。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實(shí)現。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
- 關(guān)鍵字： 3nm EUV
Intel最新制程路線(xiàn)圖曝光：10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm
- 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線(xiàn)圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設備會(huì )議上），有合作伙伴披露了一張號稱(chēng)是Intel 9月份展示的制造工藝路線(xiàn)圖，14nm之后的節點(diǎn)一覽無(wú)余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來(lái)看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開(kāi)發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標定義階段，3nm處于探索、先導階
- 關(guān)鍵字： 英特爾 10nm 7nm 5nm 3nm
3nm gaa介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm gaa!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm gaa的理解，并與今后在此搜索3nm gaa的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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