EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3nm gaa
3nm gaa 文章 進(jìn)入3nm gaa技術(shù)社區
報告：蘋(píng)果首款用于 MacBook Pro 的 3nm 芯片有望在今年投產(chǎn)
- IT之家 8 月 22 日消息，Digitimes 報告稱(chēng)，臺積電計劃在今年晚些時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn) 3nm 芯片，用于即將推出的 MacBook 機型和其他產(chǎn)品。報告的付費預覽內容中寫(xiě)道：“后端公司對即將推出的 MacBook 芯片的需求持樂(lè )觀(guān)態(tài)度，該芯片將使用臺積電的 3nm 工藝技術(shù)制造，據業(yè)內消息人士稱(chēng)，該芯片將于今年晚些時(shí)候開(kāi)始生產(chǎn)?！辈贿^(guò)，至少在 2023 年第一季度之前，臺積電不太可能從整體 3nm 芯片生產(chǎn)中獲得可觀(guān)的收入。這一信息與臺灣《商業(yè)時(shí)報》上周的一篇報道一致，該報道稱(chēng)臺積電將在 2022
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 MacBook Pro 3nm 芯片
三星第二代的3nm GAP工藝將于2024年量產(chǎn)：現已有多家用戶(hù)洽談
- 在3nm工藝制程方面，三星扳回一局，三星在七月底宣布已有廠(chǎng)家購買(mǎi)了自家3nm工藝芯片，而臺積電要想實(shí)現3nm工藝芯片的量產(chǎn)還需要等半年呢。這意味著(zhù)三星和臺積電此次“競爭”三星贏(yíng)了。據悉，三星的3nm工藝分為了兩代，第一代3nm GAE工藝降低了45%的功耗，同時(shí)性能提升23%。這次量產(chǎn)的就是第一代，不過(guò)，第一代3nm工藝還沒(méi)有應用到手機上，它的首個(gè)客戶(hù)是中國礦機芯片公司。而第二代3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，照比第一代提升不少，但量產(chǎn)的話(huà)，需要兩年之后了，也就是2024年。同時(shí)
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm 晶圓代工
三星電子3nm芯片正式出貨 中國加密貨幣礦機廠(chǎng)商成為首批用戶(hù)
- 7月25日，三星電子于京畿道華城園區V1線(xiàn)（僅限EVU極紫外光刻）舉辦了基于下一代3nm環(huán)柵晶體管（GAA）技術(shù)的芯片代工產(chǎn)品出貨儀式，開(kāi)始如約向客戶(hù)交付其首批3nm工藝芯片。包括三星電子聯(lián)席CEO兼設備解決方案部門(mén)（DS）主管慶桂顯（Kye Hyun Kyung）和韓國工業(yè)貿易資源部長(cháng)李昌陽(yáng)（Lee Chang-yang）在內，出席了該儀式。隨著(zhù)3nm制程工藝的量產(chǎn)，三星電子開(kāi)啟了晶圓代工業(yè)務(wù)的新篇章。在發(fā)貨儀式上，三星晶圓代工部門(mén)表達了通過(guò)搶先量產(chǎn)3nm GAA工藝來(lái)增強其業(yè)務(wù)競爭力的雄心，以及“將繼
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm 芯片
功耗降低30%：臺積電3nm工藝已量產(chǎn)
- 芯研所7月22日消息，作為臺積電的第一大客戶(hù)，蘋(píng)果最近幾年的iPhone新品都能首發(fā)臺積電新一代工藝，不過(guò)今年的iPhone 14是趕不上臺積電3nm工藝了。iPhone 14系列無(wú)緣3nm主要是臺積電的3nm工藝今年進(jìn)度有些晚，上半年沒(méi)能量產(chǎn)，拖到下半年，跟不上蘋(píng)果的量產(chǎn)進(jìn)度，不過(guò)最新消息稱(chēng)3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始投片量產(chǎn)，而且在新竹、南科兩個(gè)園區的工廠(chǎng)同時(shí)量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝。不過(guò)臺積電官方?jīng)]有確認這一消息，臺積電表示不評價(jià)市場(chǎng)傳聞。根據臺積電之前的消息，3nm節點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N
- 關(guān)鍵字： 臺積電 制程工藝 3nm
3nm芯片挖礦功耗表現公布：能耗大降45%
- 6月底，三星宣布3nm GAA晶體管芯片投產(chǎn)，外界稱(chēng)其首個(gè)客戶(hù)是國內的礦機廠(chǎng)商。隨后外界質(zhì)疑聲不斷，包括三星是為了搶首發(fā)而草草上馬尚未成熟或者說(shuō)良率很低的制程，甚至媒體爆料三星自己的手機芯片要到2024年才用3nm，而且直接上第二代?？赡苁菫榱舜蛳饨绲呢撁媲榫w，三星晶圓工廠(chǎng)總裁Siyoung Choi博士在一份公開(kāi)的報告中給出了3nm礦機芯片的實(shí)測表現，數據是可以節能23~45%。顯然這樣的表現屬實(shí)不錯，畢竟是結結實(shí)實(shí)省電了。一些評論人士拒絕從礦工減少支出、可爭取更大收益的角度來(lái)看待問(wèn)題，反而強調，這意
- 關(guān)鍵字： 3nm 虛擬貨幣 能耗
中國廠(chǎng)商成3nm“小白鼠”：三星自家芯片兩年后才用
- 6月30日，三星代工廠(chǎng)和半導體研發(fā)中心的職員齊聚一堂，慶祝公司成為世界首家大規模投產(chǎn)3nm芯片的半導體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管，雖然三星把3nm看得無(wú)比重要，可BK的報道稱(chēng)，三星3nm的首家客戶(hù)居然是來(lái)自中國的一家名為PanSemi（上海磐矽半導體技術(shù)有限公司）的礦機芯片企業(yè)?？紤]到當前虛擬貨幣慘淡的行情，這筆訂單的量級肯定不會(huì )大到哪兒去，對于檢驗3nm GAA的成色也不具備充分說(shuō)服力。另一個(gè)有趣的細節是，報道稱(chēng)，三星自家芯片準備在2024年才用3nm，而且是第二代，這就
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm GAA量產(chǎn)
英特爾或將修改3nm制程生產(chǎn)計劃 重回巔峰路途漫漫
- 消息稱(chēng)英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì )在8月份前往臺積電，與臺積電的高層會(huì )晤，主要是對明年的3nm產(chǎn)能計劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱(chēng)將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè)，臺積電的3nm制程的計劃將受到影響。據報道，英特爾內部已開(kāi)始緊急修正未來(lái)一年的平臺藍圖以及自家制程產(chǎn)能計劃。一直有消息稱(chēng)，英特爾將使用臺積電的N3工藝生產(chǎn)GPU，比如獨立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
- 關(guān)鍵字： 英特爾 3nm 制程
難道是新款麒麟？三星透露3nm芯片新消息，信息量頗大
- 在芯片企業(yè)中，華為海思還是頂流的存在，可以說(shuō)，華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋(píng)果A系列并駕齊驅。甚至可以說(shuō)，海思麒麟芯片還領(lǐng)先于蘋(píng)果、高通，因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的，NPU也是華為率先用在處理器中，蘋(píng)果、高通紛紛效仿。然而，誰(shuí)也沒(méi)有想到的是，美多次修改芯片等規則，導致臺積電等企業(yè)不能自由出貨，原因是臺積電等在芯片生產(chǎn)制造過(guò)程中也使用了相關(guān)美技術(shù)。在這樣的情況，臺積電等積極爭取自由出貨許可，還不斷加速發(fā)展先進(jìn)技術(shù)，目的就是盡可能地降低對美技術(shù)的依賴(lài)，從而實(shí)現自由出貨。
- 關(guān)鍵字： 麒麟 三星 3nm
三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專(zhuān)家表態(tài)：趕鴨子上架、沒(méi)人用的
- 一如之前預告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這意味著(zhù)三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn)，并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝，技術(shù)上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節點(diǎn)才會(huì )用上GAA工藝。根據三星所說(shuō)，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。對于三星搶先量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm
三星公布3納米GAA架構制程技術(shù)芯片開(kāi)始生產(chǎn)
- 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導體技術(shù)廠(chǎng)商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱(chēng) GAA）制程工藝節點(diǎn)的芯片已經(jīng)開(kāi)始初步生產(chǎn)。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實(shí)現GAA"多橋-通道場(chǎng)效應晶體管"（簡(jiǎn)稱(chēng): MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高
- 關(guān)鍵字： 三星 3納米 GAA
三星否認“3nm 芯片量產(chǎn)延后”，稱(chēng)仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn)
- 三星電子今日否認了韓國當地媒體《東亞日報》有關(guān)延后3nm量產(chǎn)的報道?！稏|亞日報》此前報道稱(chēng)，由于良率遠低于目標，三星3nm量產(chǎn)將再延后?！ ∪且晃话l(fā)言人通過(guò)電話(huà)表示，三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片?！ 私獾?，昨天韓媒BusinessKorea消息稱(chēng)，三星為趕超臺積電，加碼押注3nm GAA技術(shù)，并計劃在2025年量產(chǎn)以GAA工藝為基礎的2nm芯片?！ ∠⒎Q(chēng)，三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過(guò)技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm 芯片工藝
功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀：搶先臺積電量產(chǎn)
- 三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進(jìn)的半導體制造公司之一，3nm節點(diǎn)是他們的一個(gè)殺手锏，之前一直被良率不行等負面傳聞困擾，日前三星公司終于亮出首個(gè)3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產(chǎn)，比臺積電還要早一些?！ ∪涨懊绹偨y參觀(guān)了三星位于平澤市附近的芯片工廠(chǎng)，這里是目前全球唯一一個(gè)可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠(chǎng)，三星首次公開(kāi)了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過(guò)具體是哪款芯片還不得而知?！ θ莵?lái)說(shuō)，3nm節點(diǎn)是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵，因為臺積電的3nm工藝不會(huì )上下一代的GAA晶體管技術(shù)，三
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm
Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具
- 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門(mén)悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開(kāi)始使用 3GAE 技術(shù)工藝來(lái)生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內首個(gè)采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語(yǔ)特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過(guò)想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠(chǎng)還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來(lái)自應用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內的晶圓廠(chǎng)提供 GAA 芯片的制造支持。（來(lái)自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
- 關(guān)鍵字： 3nm 晶體管
3nm gaa介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm gaa!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm gaa的理解，并與今后在此搜索3nm gaa的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm gaa的理解，并與今后在此搜索3nm gaa的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
3nm gaa專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473