臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)

據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱(chēng)GAA)技術(shù)。

臺積電

臺媒稱(chēng)，三星已決定在3nm率先導入GAA技術(shù)，并宣稱(chēng)要到2030年超過(guò)臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。

臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。

臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠(chǎng)P4廠(chǎng)試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以此推斷，臺積電2nm推出時(shí)間將在2023年到2024年間。

臺積電今年4月曾表示，3nm仍會(huì )沿用FinFET（鰭式場(chǎng)效應晶體管）技術(shù)，主要考慮是客戶(hù)在導入5nm制程后，采用同樣的設計即可導入3nm制程，可以持續帶給客戶(hù)有成本競爭力、效能表現佳的產(chǎn)品 。

臺積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導體制造廠(chǎng)，客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為T(mén)SM。