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2nm
2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區
臺積電 2 納米晶圓價(jià)格達到 3 萬(wàn)美元，據報道 SRAM 的良率達到了 90%
- 臺積電在過(guò)去幾年中穩步提高其最先進(jìn)的半導體工藝節點(diǎn)的價(jià)格——如此之高，以至于一項分析表明， 晶體管成本在十多年里沒(méi)有下降。進(jìn)一步的價(jià)格上漲，由關(guān)稅和不斷上升的開(kāi)發(fā)成本推動(dòng)，正在強化摩爾定律已經(jīng)死亡的觀(guān)念?！渡虡I(yè)時(shí)報》報道，臺積電即將推出的 N2 2 納米半導體每片晶圓將售價(jià) 3 萬(wàn)美元，比該公司 3 納米芯片大約上漲了 66%。未來(lái)的節點(diǎn)預計將更加昂貴，并且可能僅限于最大的制造商使用。臺積電通過(guò)指出建造 2 納米晶圓廠(chǎng)的巨大成本來(lái)為其價(jià)格上漲辯護，這些成本最高可達 7.25 億美元。根
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傳臺積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用
- 據《商業(yè)時(shí)報》報道，隨著(zhù)臺積電準備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據報道，2nm 晶圓價(jià)格已達到每單位 30,000 美元，未來(lái)節點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì )飆升至 45,000 美元。報告補充說(shuō)，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來(lái) 2 年內效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報援引供應鏈消息人士的話(huà)說(shuō)，開(kāi)發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達 7.25 億美元。盡管如此，頂級玩家仍在潛入——正如該報告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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MediaTek 9月推首款2nm芯片流片，用于智能手機/NVLink定制ASIC
- 繼小米推出首款自有 3nm 芯片 XRING 01 后，智能手機芯片制造商聯(lián)發(fā)科技也在 Computex 2025 上發(fā)布了其首款 2nm 產(chǎn)品。據《商業(yè)時(shí)報》報道，該公司的首款 2nm 芯片預計將于 9 月流片。隨著(zhù)聯(lián)發(fā)科技加深與 NVIDIA 的合作伙伴關(guān)系，經(jīng)濟日報報道稱(chēng)，其首款由臺積電制造的 2nm 芯片可能是下一代旗艦智能手機 SoC，也可能是 NVIDIA NVLink Fusion 系統的定制 ASIC。根據 MediaTek 的新聞稿，作為 NVIDIA NVLink Fusion 的首批
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芯片，遇到難題
- 近，semiengineering 的文章指出，由于復雜性不斷上升，芯片制造從單片芯片轉向多芯片組件，需要進(jìn)行更多次迭代，以及定制化程度不斷提高導致設計和驗證更加耗時(shí)，首次流片的成功率正在急劇下降。從西門(mén)子提供的數據看，半導體行業(yè)首次流片的成功率已經(jīng)達到了歷史低點(diǎn)。此外，隨著(zhù) 2nm 的到來(lái)，先進(jìn)制程工藝下的芯片良率也很難提高。芯片遇到了大難題。芯片流片成功率，歷史低點(diǎn)流片對于芯片設計來(lái)說(shuō)，就是參加一次大考。流片是檢驗芯片設計是否成功的關(guān)鍵，就是將設計好的方案交給代工廠(chǎng)生產(chǎn)出樣品，檢驗設計的芯片
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押注Rapidus 日本2nm芯片制造試產(chǎn)
- 世界上只有三家公司能夠執行大規模制造最先進(jìn)的計算機芯片的令人難以置信的精度。上個(gè)月，日本的一家初創(chuàng )公司邁出了成為第四家的第一步。Rapidus?在 4 月 1 日實(shí)現了一個(gè)關(guān)鍵的里程碑，它使用與 IBM 合作開(kāi)發(fā)的配方，基于?IBM 的納米片晶體管結構，啟動(dòng)并測試了其 2 納米節點(diǎn)芯片的試驗線(xiàn)。?Rapidus 告訴?IEEE Spectrum，其位于千歲的新晶圓廠(chǎng)安裝了 200 多臺尖端設備，包括 Keystone 部件，一個(gè)價(jià)值超過(guò) 3 億美元的最先進(jìn)的極紫外&
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臺積電2nm需求超所有其它制程！蘋(píng)果、NVIDIA、AMD都想要
- 5月6日消息，據報道，臺積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求，有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報道稱(chēng)，臺積電的2nm節點(diǎn)需求遠超以往任何制程，甚至在大規模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現出強勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節點(diǎn)。臺積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構。此外，與3nm增強版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面，蘋(píng)果被認為是2nm制程的最大客戶(hù)，可
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日本國家半導體計劃新進(jìn)展：Rapidus國有化打通法律上障礙
- 日本參議院已通過(guò)法律修訂，使政府能夠收購 Rapidus 的股權，這是加強該國下一代半導體行業(yè)的更廣泛努力的一部分，這一步將使得日本政府可以通過(guò)法律收購Rapidus股權并加強對芯片戰略的控制，這也讓Rapidus可能成為未來(lái)臺積電最大的競爭對手之一。 Rapidus成立于2022年8月，Rapidus由軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦，公司地址位于日本東京都千代田區，公司已經(jīng)與IBM達成合作協(xié)議制造半導體芯片，是日本瞄準未來(lái)先進(jìn)半導體制造工藝的重要企業(yè)。2024年之前，日本本土的數字工藝產(chǎn)能最多
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒(méi)有給出具體數據，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著(zhù)優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開(kāi)始就低得多了，
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臺積電2nm N2工藝節點(diǎn)今年投產(chǎn) A16和N2P明年上市
- 臺積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì )上透露，該公司有望在今年下半年開(kāi)始大批量生產(chǎn) N2（2nm 級）芯片，這是其首個(gè)依賴(lài)于全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。這個(gè)新節點(diǎn)將支持明年推出的眾多產(chǎn)品，包括 AMD 用于數據中心的下一代 EPYC“Venice”CPU，以及各種面向客戶(hù)端的處理器，例如用于智能手機、平板電腦和個(gè)人電腦的 Apple 2025 芯片。得益于 GAAFET 和增強的功率傳輸，新的 2nm 節點(diǎn)將在更高的性能和晶體管密度中實(shí)現切實(shí)的節能。此外，后續工藝技術(shù) A16
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Intel下單臺積電2nm！用于下代PC處理器
- 4月22日消息，據媒體報道，Intel已加入臺積電2nm制程的首批客戶(hù)行列，計劃用于生產(chǎn)下一代PC處理器，目前相關(guān)準備工作正在臺積電新竹廠(chǎng)區緊鑼密鼓地進(jìn)行，以確保后續良率的調整。臺積電計劃在下半年量產(chǎn)2nm制程，近期相關(guān)客戶(hù)陸續浮出水面，此前，AMD已宣布下單臺積電2nm制程。報道稱(chēng)，Intel和臺積電目前在2nm制程上僅合作一款產(chǎn)品，可能是Intel明年要推出的PC處理器Nova Lake中的運算芯片。對于Intel加入的消息，臺積電表示不評論市場(chǎng)傳聞，也不評論特定客戶(hù)業(yè)務(wù)，Intel方面也未對相關(guān)消息
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臺積電將在美國生產(chǎn)30%的2nm和更先進(jìn)的芯片
- 臺積電管理層在周四的公司財報電話(huà)會(huì )議上透露，該公司計劃在美國生產(chǎn)其 30% 的 N2（2 納米級）產(chǎn)品，并將其 Fab 21 工廠(chǎng)設在亞利桑那州鳳凰城附近，這是一個(gè)獨立的半導體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示，打算加快構建新的 Fab 21 模塊，以生產(chǎn) N3（3 納米級）、N2 和 A16（1.6 納米級）節點(diǎn)上的芯片?！巴瓿珊?，我們約 30% 的 2nm 和更先進(jìn)的產(chǎn)能將位于亞利桑那州，在美國創(chuàng )建一個(gè)獨立的領(lǐng)先半導體制造集群，”臺積電首席執行官兼董事長(cháng) C.C. Wei 在準備好的講話(huà)中說(shuō)
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手機漲價(jià)潮又來(lái)了！高通聯(lián)發(fā)科明年擁抱臺積電2nm：芯片成本大漲
- 4月17日消息，博主數碼閑聊站表示，明年蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺積電2nm，預計成本大幅增長(cháng)，新機或許還會(huì )有一輪漲價(jià)。去年10月份，因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺積電3nm工藝，國產(chǎn)品牌集體漲價(jià)。當時(shí)REDMI總經(jīng)理王騰解釋?zhuān)炫灆C漲價(jià)有兩個(gè)原因，一是旗艦處理器升級最新3nm制程，工藝成本大幅增加；二是內存、存儲經(jīng)過(guò)持續一年的漲價(jià)，已經(jīng)來(lái)到了最高點(diǎn)，所以大內存的版本漲幅更大。展望明年，高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級為全新的臺積電2nm制程，成本將會(huì )再度上漲
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消息稱(chēng)蘋(píng)果/高通/聯(lián)發(fā)科確定明年上臺積電 2nm，預計成本大幅增長(cháng)
- 4 月 17 日消息，據博主@數碼閑聊站 今日爆料，明年蘋(píng)果 / 高通 / 聯(lián)發(fā)科確定上臺積電 2nm，預計成本大幅增長(cháng)，新機或許還會(huì )有一輪漲價(jià)。爆料還稱(chēng)，今年的旗艦處理器 A19 Pro、驍龍 8 Elite 2、天璣 9500 都還會(huì )采用臺積電 N3P 工藝。對于今年的手機是否會(huì )漲價(jià)，該博主稱(chēng)“今年還好，子系甚至有準備降價(jià)的”。臺積電預計今年下半年將開(kāi)始量產(chǎn) 2nm 芯片。有消息稱(chēng)臺積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋(píng)果包下，將用來(lái)生產(chǎn) A20 處理器，蘋(píng)果今年仍將穩居臺積電最大客戶(hù)。分析師郭明錤
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比蘋(píng)果高通快一步！曝三星率先商用2nm芯片：11月進(jìn)入量產(chǎn)階段
- 4月12日消息，三星原計劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500，但由于三星代工部門(mén)的3nm良率未達標，Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今，三星押注下一代旗艦平臺Exynos 2600，這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據媒體報道，三星2nm工藝制程良率已達40%，預計在今年11月正式啟動(dòng)Exynos 2600的量產(chǎn)工作，Galaxy S26系列將會(huì )全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是，芯片制造商通常需達到70%-80%的
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