手機漲價(jià)潮又來(lái)了!高通聯(lián)發(fā)科明年擁抱臺積電2nm:芯片成本大漲
4月17日消息,博主數碼閑聊站表示,明年蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺積電2nm,預計成本大幅增長(cháng),新機或許還會(huì )有一輪漲價(jià)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202504/469527.htm去年10月份,因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺積電3nm工藝,國產(chǎn)品牌集體漲價(jià)。
當時(shí)REDMI總經(jīng)理王騰解釋?zhuān)炫灆C漲價(jià)有兩個(gè)原因,一是旗艦處理器升級最新3nm制程,工藝成本大幅增加;二是內存、存儲經(jīng)過(guò)持續一年的漲價(jià),已經(jīng)來(lái)到了最高點(diǎn),所以大內存的版本漲幅更大。
展望明年,高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級為全新的臺積電2nm制程,成本將會(huì )再度上漲,這將導致終端旗艦掀起新一輪漲價(jià)潮。
據此前報道,臺積電每片300mm的2nm晶圓報價(jià)可能超過(guò)3萬(wàn)美元,相比之下,目前3nm晶圓的價(jià)格大概在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元。
值得注意的是,臺積電2nm制程首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管技術(shù),同時(shí)結合了NanoFlex技術(shù),為芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。
相較于當前的N3E工藝,N2工藝預計將在相同功率下實(shí)現10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。
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