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2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區
臺積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號代工廠(chǎng)臺積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠處,2nm工藝也正在藍圖上鋪開(kāi)……在最新的2019年年報中,臺積電確認5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續研發(fā),同時(shí)今年還會(huì )加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的前期準備工作。臺積電從7nm工藝開(kāi)始導入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉移,而且在3nm上展現了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預期的良品率,所以在2nm和
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號代工廠(chǎng)臺積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠處,2nm工藝也正在藍圖上鋪開(kāi)……在最新的2019年年報中,臺積電確認5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續研發(fā),同時(shí)今年還會(huì )加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的前期準備工作。臺積電從7nm工藝開(kāi)始導入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉移,而且在3nm上展現了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預期的良品率,所以在2nm和
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中國CPU芯片將實(shí)現彎道超車(chē) 中科院表示國產(chǎn)2nm芯片有望破冰
- 近日，中科院對外宣布，中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著(zhù)此項技術(shù)成熟后，國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內置了超過(guò)100億個(gè)晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技術(shù)上的確實(shí)現了巨大突破，也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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臺積電、三星爭霸2nm工藝：能做出來(lái),就怕沒(méi)人用得起
- 根據臺積電的規劃，他們今年上半年就會(huì )量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會(huì )提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋(píng)果和華為。臺積電的3nm工藝工藝今年也會(huì )啟動(dòng)建設，三星更是搶先宣布了3nm GAA工藝。根據三星的說(shuō)法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。為了確保在5nm之后保持優(yōu)勢，三星、臺積電都會(huì )投入巨額資金，去年，三星宣布了一項高達133萬(wàn)億韓元（約合1118.5億美元）的投資計劃，目標是到2030年成為全球最大的“系統級
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張忠謀:3nm制程會(huì )出來(lái) 2nm后很難
- 臺積電董事長(cháng)張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3nm制程應該會(huì )出來(lái)，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來(lái)臺時(shí)，兩人曾針對摩爾定律還可延續多久進(jìn)行討論，他當時(shí)回答還有15年，貝瑞特較謹慎回答，大概還有10年。 現在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當時(shí)的答案都錯了;他指出，目前大膽預測摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示，臺積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會(huì )出來(lái)，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來(lái)也是會(huì )出來(lái)。 張忠謀
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臺積電已在進(jìn)行2nm/3nm的研發(fā)
- 為在國際市場(chǎng)持續在制程上保持領(lǐng)先，同時(shí)因應客戶(hù)需求，近期臺積電的臺灣南科廠(chǎng)通過(guò)環(huán)境影響差異審查后，將加速臺積電未來(lái)擴廠(chǎng)計劃，包括中科廠(chǎng)第6期預計明年完工并投入7納米制程，南科廠(chǎng)明年也將開(kāi)始著(zhù)手準備投入更先進(jìn)的5納米制程。 市場(chǎng)預期臺積電積極投入最先進(jìn)的制程將再進(jìn)一步領(lǐng)先英特爾和三星等競爭對手。 南科通過(guò)環(huán)差審查 針對臺積電建廠(chǎng)最新進(jìn)度方面，臺積電企業(yè)訊息處處長(cháng)孫又文指出，中科廠(chǎng)第5期目前進(jìn)度已逾96%，該廠(chǎng)品10納米制程也已進(jìn)入量產(chǎn)，明年第1季將會(huì )小量產(chǎn)出，而第6期日前已完成上梁，預
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