臺積電將在美國生產(chǎn)30%的2nm和更先進(jìn)的芯片

臺積電管理層在周四的公司財報電話(huà)會(huì )議上透露，該公司計劃在美國生產(chǎn)其 30% 的 N2（2 納米級）產(chǎn)品，并將其 Fab 21 工廠(chǎng)設在亞利桑那州鳳凰城附近，這是一個(gè)獨立的半導體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示，打算加快構建新的 Fab 21 模塊，以生產(chǎn) N3（3 納米級）、N2 和 A16（1.6 納米級）節點(diǎn)上的芯片。

“完成后，我們約 30% 的 2nm 和更先進(jìn)的產(chǎn)能將位于亞利桑那州，在美國創(chuàng )建一個(gè)獨立的領(lǐng)先半導體制造集群，”臺積電首席執行官兼董事長(cháng) C.C. Wei 在準備好的講話(huà)中說(shuō)?！八€將創(chuàng )造更大的規模經(jīng)濟，并有助于在美國建立更完整的半導體供應鏈生態(tài)系統?！?/p>

為了在亞利桑那州生產(chǎn) 30% 的 N2 和 A16 產(chǎn)品，臺積電將再建造兩個(gè) Fab 21 模塊。到目前為止，該公司已確認計劃在臺灣新竹和高雄科學(xué)園區建造至少三個(gè)支持 N2 和 A16 的晶圓廠(chǎng)模塊，并有更多模塊進(jìn)來(lái)，因此該島仍將生產(chǎn)臺積電大部分先進(jìn)芯片。然而，臺積電 30% 的 N2 和 A16 芯片在美國生產(chǎn)無(wú)疑是一件大事。

臺積電位于亞利桑那州的 Fab 21 模塊 1 目前正在使用該公司的 N4 和 N5 工藝技術(shù)為其美國客戶(hù)提高芯片的批量生產(chǎn)。該公司具有 N3 功能的 Fab 21 模塊 2（其在亞利桑那州的第二個(gè)制造工廠(chǎng)）的建設已經(jīng)完成，該公司正在努力提前開(kāi)始在那里安裝設備，以期將該工廠(chǎng)的芯片批量生產(chǎn)至少比最初模糊的 2028 年時(shí)間表提前幾個(gè)季度。

Fab 21 模塊 3 和 4 模塊（該公司將使用 N2 和 A16 節點(diǎn)的設施）預計將于今年晚些時(shí)候開(kāi)始建設，前提是獲得所有必需的許可。臺積電沒(méi)有透露這些 Fab 21 組件的時(shí)間表，但如果有理由預期其中至少一個(gè)組件將在 2029 年初上線(xiàn)，前提是臺積電按時(shí)獲得所有必要的設備。

臺積電的 Fab 21 模塊 5 和模塊 6 將使用 A16 以外的工藝技術(shù)（想想 A14 甚至可能更先進(jìn)），但它們的建設時(shí)間表和產(chǎn)量將取決于未來(lái)的客戶(hù)需求。

TSMS 對 Fab 21 的宏偉計劃是將其發(fā)展成一個(gè) GigaFab 集群，每月至少開(kāi)始生產(chǎn) 100,000 片晶圓，但具體何時(shí)發(fā)生還有待觀(guān)察。

“我們的擴張計劃將使臺積電能夠擴展到 GigaFab 集群，以支持我們領(lǐng)先客戶(hù)在智能手機、AI 和 HPC 應用方面的需求，”Wei 補充道。