碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區

基本半導體完成股份改制，正式更名

為適應公司戰略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場(chǎng)監督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續，公司名稱(chēng)正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發(fā)展的重要里程碑，標志著(zhù)公司治理結構、經(jīng)營(yíng)機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)將統一采用新名稱(chēng)“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區龍田街道老坑社區光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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全球 33 家 SiC 制造商進(jìn)展概覽

SiC 功率器件市場(chǎng)規模逐年擴大，并將保持高速增長(cháng)。
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意法半導體先進(jìn)的電隔離柵極驅動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅動(dòng)器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調、工廠(chǎng)自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機驅動(dòng)裝置的可靠性。新驅動(dòng)器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車(chē)載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng )新的結構可實(shí)現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開(kāi)始提供測試樣品，供客戶(hù)評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時(shí)，其可靠性會(huì )因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來(lái)緩解上述問(wèn)題，但如若將SBD布置在芯片上
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管系列

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對稱(chēng)系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場(chǎng)上首款非對稱(chēng)瞬態(tài)抑制解決方案，專(zhuān)為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過(guò)壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快、效率更高，因此越來(lái)越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來(lái)越大。SMFA非對稱(chēng)系列提供了一種創(chuàng )新的單元件解決方案，在簡(jiǎn)化設計的同時(shí)顯著(zhù)提高了電路的可靠性。SMFA非對稱(chēng)系列是市場(chǎng)
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碳化硅6吋基板供過(guò)于求價(jià)格崩盤(pán)

碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開(kāi)出，嚴重供過(guò)于求，報價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤(pán)已讓絕大多數業(yè)者陷入賠錢(qián)銷(xiāo)售，而買(mǎi)家不敢輕易出手撿便宜，因為買(mǎi)方預期SiC價(jià)格還會(huì )再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報價(jià)已快速下滑，尤其是中國大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒(méi)有標準價(jià)格，供應鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項目，鉅芯半導體等三方達成合作

據“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟文化交流協(xié)會(huì )、韓中文化協(xié)會(huì )及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標志著(zhù)三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開(kāi)始。據悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車(chē)空調關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開(kāi)，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)。據了解，今年以來(lái)，部分韓國半導體廠(chǎng)商正在持續發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開(kāi)發(fā)出2
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進(jìn)擊的中國碳化硅

中國碳化硅廠(chǎng)商把價(jià)格打下來(lái)了。
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全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)？

全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠(chǎng)布局。
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高功率SiC模塊助力實(shí)現可持續軌道交通

國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報告稱(chēng)，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng )新的記錄。其中，交通運輸排放增長(cháng)最為顯著(zhù)，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅動(dòng)的電氣化列車(chē)，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現氣候目標的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車(chē)不同的是，電力機車(chē)已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區的軌道交通電氣化率存在
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利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機設計要點(diǎn)

壓縮機是汽車(chē)空調的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現車(chē)內外的冷熱交換。傳統燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)。而新能源汽車(chē)脫離了發(fā)動(dòng)機，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅動(dòng)無(wú)刷直流電機，從而帶動(dòng)壓縮機轉動(dòng)，實(shí)現空調的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件，除了可以提高車(chē)廂內的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動(dòng)系統的溫度控制發(fā)揮著(zhù)重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機需
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意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅逆變器量身定制

意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導體還針對電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng )新成果，履行創(chuàng )新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續在器
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠(chǎng)官宣合作

9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)發(fā)用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開(kāi)發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉型據悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著(zhù)提
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線(xiàn)增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實(shí)現高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線(xiàn)中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
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美印宣布將在印度建立半導體工廠(chǎng)，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠(chǎng)，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據白宮消息人士稱(chēng)，擬建的工廠(chǎng)將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統拜登和莫迪在特拉華州會(huì )晤后發(fā)布的。消息人士稱(chēng)，該工廠(chǎng)的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機會(huì )提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過(guò)去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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