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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

瘋狂的碳化硅,國內狂追!

  • 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車(chē)半導體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長(cháng)期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應鏈的穩定,同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)充電應用、儲能系統等領(lǐng)域對于碳化硅半導體不斷增長(cháng)的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息,為了滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實(shí)一項多供應商戰略,從而在
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安森美碳化硅技術(shù)專(zhuān)家“把脈”汽車(chē)產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

  • 回首2023年,盡管全球供應鏈面臨多重挑戰,但我們看到了不少閃光點(diǎn),比如AIGC的熱潮、汽車(chē)電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專(zhuān)家牛嘉浩先生為大家帶來(lái)了他對過(guò)去一年的經(jīng)驗總結和對新一年的展望期盼。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰在過(guò)去一年中,汽車(chē)芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化,可能是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車(chē)制造商需要不斷調整生產(chǎn)和采購策略以應對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著(zhù)更多傳統車(chē)企和新興造車(chē)勢力進(jìn)入新能源汽車(chē)市場(chǎng),競爭壓力加大,汽車(chē)制造商需要不斷提
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帶隙對決:GaN和SiC,哪個(gè)會(huì )占上風(fēng)?

  • 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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意法半導體:SiC新工廠(chǎng)今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿(mǎn)足井噴市場(chǎng)需求

  • 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現了哪些變化?2024將迎來(lái)哪些新機遇和新挑戰?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來(lái)的前進(jìn)方向,行家說(shuō)三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開(kāi)》專(zhuān)題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵)。全工序SiC工廠(chǎng)今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半:據《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調研白皮書(shū)》統計,2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅車(chē)型又新增了40多款,預計明年部分
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臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目

  • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露,該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體(嘉興)有限公司,臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區新明路南側建造廠(chǎng)房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項目建筑面積達45800m2。公開(kāi)資料顯示,臻驅科技成立于2017年,是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車(chē)驅動(dòng)解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen)等地布局了多家子
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能

  • 中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導通電阻值最高可達 60mΩ,非常適合車(chē)載充電器、DC/DC 
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英飛凌與Wolfspeed延長(cháng)多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議

  • 據外媒,1月23日,英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴大并延長(cháng)雙方2018年2月簽署的現有150mm碳化硅晶圓長(cháng)期供應協(xié)議。根據聲明,雙方延長(cháng)的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩定性,同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應用以及儲能系統對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(cháng)的需求。英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(cháng)期供應優(yōu)質(zhì)貨源。
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SiC生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷

  • 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來(lái)說(shuō)非常重要,因為它直接決定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(cháng)仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過(guò)渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(cháng),同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩定性,這導致生長(cháng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
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致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術(shù),提高新能源汽車(chē)電動(dòng)空調壓縮機控制器能效

  • 2024年1月18日,中國--服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布,與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車(chē)帶來(lái)諸多益處,以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車(chē)為例,續航里程可延長(cháng)5到10公里,在夏冬
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線(xiàn)

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻,并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

  • 據英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過(guò)渡方面發(fā)揮重要作用。據了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來(lái)說(shuō),供應鏈彈性意味著(zhù)實(shí)施多供應商戰略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng )造新的增長(cháng)機會(huì )并推
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安森美:緊握第三代半導體市場(chǎng),助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展

  • 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型,在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%,在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長(cháng) 35%,創(chuàng ) 歷史新高,第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域,安森美專(zhuān)注于 SiC,重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
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SiC 長(cháng)期供貨,理想簽協(xié)議

  • 意法半導體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(cháng)期供貨協(xié)議。
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工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電,在工業(yè)領(lǐng)域為設備提供穩定的電力供應,在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比,工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜,對電源的穩定性要求更高,需滿(mǎn)足一些特殊要求,如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,同時(shí),它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過(guò)程中的位置做分類(lèi),電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源,是采用優(yōu)化的電路和結構設計,利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造, 形成的一個(gè)結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
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電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)催生碳化硅新前景

  • 第三代半導體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度,更高的擊穿電場(chǎng)、熱導率以及電子飽和速率,并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景,并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此,第三代半導體材料在5G基站、新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應用潛力。其中,碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,在汽車(chē)電子領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,
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碳化硅(sic)介紹

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