碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區

三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠(chǎng)正式通線(xiàn)

服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(chǎng)（即“安意法半導體有限公司”，以下簡(jiǎn)稱(chēng)安意法）現已正式通線(xiàn)。這一里程碑標志著(zhù)意法半導體和三安正朝著(zhù)于2025年年底前實(shí)現在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標穩步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿(mǎn)足中國新能源汽車(chē)、工業(yè)電源及能源等市場(chǎng)對碳化硅日益增長(cháng)的需求。三安光電和意法
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來(lái)

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著(zhù)差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來(lái)。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來(lái)電力電子技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統半導體材料一直主導著(zhù)電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無(wú)與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車(chē)電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國能源汽車(chē)已突破1000萬(wàn)輛，今年將增長(cháng)24%據賽迪顧問(wèn) 2024 年 12 月發(fā)布的數據預測顯示，我國新能源汽車(chē)的新車(chē)全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車(chē)大國邁向汽車(chē)強國的步伐更加堅實(shí)。據中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )的統計數據顯示，2024年我國汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成3128.2萬(wàn)輛和3143.6萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬(wàn)輛以上規模，產(chǎn)銷(xiāo)總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)首次突破1000萬(wàn)輛，分別達到1288.8萬(wàn)輛和1286.6萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)34.4％和35.5
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格力：SiC工廠(chǎng)整套環(huán)境設備均為自主制造

自央視頻官方獲悉，格力電器董事長(cháng)董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質(zhì)疑，并談到了格力建設的芯片工廠(chǎng)，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業(yè)的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠(chǎng)，整個(gè)芯片的制造過(guò)程是自己完成的。而在芯片工廠(chǎng)制造的過(guò)程中，格力解決了一個(gè)最大的問(wèn)題?！皞鹘y的芯片工廠(chǎng)用的環(huán)境設備都是進(jìn)口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統的環(huán)境設備，要比傳統的降溫模式更節能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
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從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體管（B
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性

簡(jiǎn)介本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng )新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開(kāi)關(guān)應用的全面性能設定了基準。市場(chǎng)上的某些廠(chǎng)商只關(guān)注特定品質(zhì)因數?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開(kāi)始向客戶(hù)提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

SiC 器件性能表現突出，能實(shí)現高功率密度設計，有效應對關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實(shí)現高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu)，有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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深圳平湖實(shí)驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

據深圳平湖實(shí)驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗室新技術(shù)研究部開(kāi)發(fā)激光剝離工藝來(lái)替代傳統的多線(xiàn)切割工藝，其工藝過(guò)程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線(xiàn)切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著(zhù)效果，該工藝的推廣，對于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著(zhù)重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
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第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性

簡(jiǎn)介本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng )新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開(kāi)關(guān)應用的全面性能設定了基準。市場(chǎng)上的某些廠(chǎng)商只關(guān)注特定品質(zhì)因數 (FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動(dòng)汽車(chē)等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。新建的第三廠(chǎng)區將根據市場(chǎng)需求開(kāi)始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營(yíng)官我們正在按計劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應離子蝕刻碳化硅反應離子蝕刻案例ICP的應用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線(xiàn)寬：當器件尺寸進(jìn)入亞微米級（<1μm）時(shí)，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線(xiàn)寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W(xué)穩定性挑戰：SiC的化學(xué)穩定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
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設計高壓SIC的電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)

DC總線(xiàn)電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統（ESS）提供動(dòng)力，可以通過(guò)固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態(tài)電池斷開(kāi)連接開(kāi)關(guān)時(shí)，需要考慮一些基本的設計決策。關(guān)鍵因素包括半導體技術(shù)，設備類(lèi)型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術(shù)的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)定義了半導體包裝，以及表征系統寄生電感和過(guò)度流動(dòng)保護限制的重要性?！　拵О雽w技術(shù)的優(yōu)勢需要仔細考慮以選擇的半導體材料以實(shí)現具有的狀態(tài)阻力，的離狀態(tài)泄漏電流，
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碳化硅大風(fēng)，吹至半導體設備

2025年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)關(guān)鍵發(fā)展節點(diǎn)，正式步入8英寸產(chǎn)能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨之后，碳化硅設備領(lǐng)域又傳動(dòng)態(tài)：中導光電拿下SiC頭部客戶(hù)重復訂單。近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備N(xiāo)anoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶(hù)的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過(guò)程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產(chǎn)品還成功贏(yíng)得了國內半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過(guò)高精度多
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基于SiC的高電壓電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的設計注意事項

得益于固態(tài)電路保護，直流母線(xiàn)電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關(guān)鍵因素包括半導體技術(shù)、器件類(lèi)型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的半導體封裝時(shí)的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過(guò)流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術(shù)的優(yōu)勢在選擇最佳半導體材料時(shí)，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
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