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碳化硅（sic）
碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
第4講：SiC的物理特性
- 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場(chǎng)強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強度，可實(shí)現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷
- SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構成和生長(cháng)機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì )影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯的密度約為103～10?長(cháng)達個(gè)/cm2。至今，與Si相
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶(hù)。然而，隨著(zhù)太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(cháng)，現有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰（包括整合儲能系統），才能確保在用電高峰期電力供應充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統比以往任何時(shí)
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EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶(hù)。然而，隨著(zhù)太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(cháng)，現有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰（包括整合儲能系統），才能確保在用電高峰期電力供應充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統比以往任何時(shí)候
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8英寸碳化硅時(shí)代呼嘯而來(lái)！
- 近日，我國在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷(xiāo)售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來(lái)，未來(lái)將會(huì )有更多廠(chǎng)商帶來(lái)新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來(lái)源：中國電科據中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設計
- 我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說(shuō)明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動(dòng)器。
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱(chēng)國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
- 據南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開(kāi)資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì )成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì )上，賽事組委會(huì )發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開(kāi)賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內容。武漢市體育局黨組成員、副局長(cháng)洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長(cháng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì )；武漢市社會(huì )體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長(cháng)繆璐進(jìn)行江夏區文旅推介，向社會(huì )各界發(fā)出“跟著(zhù)賽事游江夏”的邀
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碳化硅，跨入高速軌道
- 正如業(yè)界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長(cháng)階段。觀(guān)察市場(chǎng)情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進(jìn)、三安光電、羅姆等大廠(chǎng)加速擴充碳化硅產(chǎn)能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開(kāi)展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關(guān)公司Nisene；長(cháng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協(xié)
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀(guān)環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計劃時(shí)間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠(chǎng)區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
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8英寸碳化硅，如火如荼
- 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)啟動(dòng)。功率半導體大廠(chǎng)英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動(dòng)位于馬來(lái)西亞新晶圓廠(chǎng)的第一階段，該晶圓廠(chǎng)將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠(chǎng)，預計2025年開(kāi)始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱(chēng)，預計從2026年至2027年開(kāi)始，現在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當前來(lái)看，第三代半導體碳化硅加速邁進(jìn)8英寸時(shí)代，并引得“天下群雄”踴躍進(jìn)軍。據全球半導體觀(guān)察不完全統計，英
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英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠(chǎng)
- ●? ?馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠(chǎng)一期項目的生產(chǎn)運營(yíng)啟動(dòng)儀式?！? ?新晶圓廠(chǎng)將進(jìn)一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導地位?！? ?強有力的客戶(hù)支持與承諾以及重要的設計訂單為持續擴建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠(chǎng)100%使用綠電并在運營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節能和可持續舉措。馬來(lái)西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務(wù)大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執行官Jochen Han
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英飛凌馬來(lái)西亞居林第三廠(chǎng)區啟用，未來(lái)將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠(chǎng)
- IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來(lái)西亞的居林第三廠(chǎng)區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠(chǎng)區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng )造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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