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意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅逆變器量身定制
- 意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導體還針對電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng )新成果，履行創(chuàng )新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續在器
- 關(guān)鍵字： STPOWER SiC MOSFET
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