美印宣布將在印度建立半導體工廠(chǎng)，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠(chǎng)，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。

據白宮消息人士稱(chēng)，擬建的工廠(chǎng)將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統拜登和莫迪在特拉華州會(huì )晤后發(fā)布的。消息人士稱(chēng)，該工廠(chǎng)的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。

印度在亞洲的戰略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機會(huì )提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過(guò)去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并且已經(jīng)開(kāi)始吸引蘋(píng)果和三星轉移部分制造業(yè)。

9月初，印度科技部長(cháng)Ashwini Vaishnaw表示，該國正試圖發(fā)展整個(gè)芯片價(jià)值鏈。印度的目標是在本世紀末將其電子行業(yè)規模擴大到5000億美元。

莫迪正在美國參加美日印澳“四方峰會(huì )”，在為期三天的訪(fǎng)問(wèn)中，他將與美國領(lǐng)導人舉行雙邊會(huì )晤，還將會(huì )見(jiàn)印度僑民和美國科技行業(yè)高管。