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碳化硅（sic）
碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來(lái)自公共部門(mén)和私營(yíng)機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉型，提升對于能源轉型至關(guān)重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著(zhù)擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 功率半導體 碳化硅
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當地時(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠(chǎng)——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠(chǎng)位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠(chǎng)已有一些長(cháng)晶爐設備進(jìn)場(chǎng)，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠(chǎng)的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增
- 隨著(zhù)近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因為最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時(shí)期，萬(wàn)物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開(kāi)了序幕?，F場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據悉本次展會(huì )面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì )議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進(jìn)材料、芯車(chē)會(huì )等多個(gè)專(zhuān)區。本次展會(huì )中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據全球半導體觀(guān)察不完全統計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進(jìn)、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 第三代半導體
如何通過(guò)SiC增強電池儲能系統？
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 電池儲能
SiC是如何「拯救」降價(jià)車(chē)企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車(chē)企紛紛宣布降價(jià)。車(chē)企給供應商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀(guān)點(diǎn)認為，車(chē)市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2 月銷(xiāo)量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì )緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì )不會(huì )是出路呢？降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車(chē)型的
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納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì )展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀(guān)眾造訪(fǎng)由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著(zhù)全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
- 關(guān)鍵字： 納微半導體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充
- 受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(cháng)期。據TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠(chǎng)預計4月開(kāi)建據日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開(kāi)工建設新的8英寸SiC工廠(chǎng)，并計劃于2026年4月投入運營(yíng)。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) 碳化硅 第三代半導體
芯動(dòng)半導體與與意法半導體達成SiC合作
- 3月13日消息，日前，芯動(dòng)半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開(kāi)合作。此次與意法半導體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動(dòng)長(cháng)城汽車(chē)垂直整合，穩定供應鏈發(fā)展。公開(kāi)資料顯示，芯動(dòng)半導體于2022年11月成立于江蘇無(wú)錫，由長(cháng)城汽車(chē)與穩晟科技合資成立，以開(kāi)發(fā)第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動(dòng)半導體位于無(wú)錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規劃車(chē)規級模組年產(chǎn)能為120萬(wàn)套，預計本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動(dòng)
- 關(guān)鍵字： ST 芯動(dòng) 碳化硅
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程
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納芯微推出基于創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車(chē)載通信方案，NCA1462-Q1在滿(mǎn)足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標準，可實(shí)現≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專(zhuān)利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò )多節點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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晶盛機電披露碳化硅進(jìn)展
- 近日，晶盛機電在接受機構調研時(shí)表示，目前公司已基本實(shí)現8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷(xiāo)售，6英寸碳化硅外延設備實(shí)現批量銷(xiāo)售且訂單量快速增長(cháng)，成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(cháng)設備，實(shí)現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開(kāi)始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 晶盛機電 碳化硅
基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進(jìn)電機應用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動(dòng)器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線(xiàn)電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機應用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
- 關(guān)鍵字： SiC 逆變器 電機 CISSOID Silicon Mobility
Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化
- 關(guān)鍵字： Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠(chǎng)智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設備旁邊導入先進(jìn)信息通信設備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉換 SiC MOSFET
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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