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碳化硅（sic）
碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場(chǎng)中仍然呈現加速滲透之勢，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(cháng)態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷(xiāo)售數據，其中Tesla在1
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 TrendForce
碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數據底座
- 隨著(zhù)人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實(shí)現第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
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Power Integrations升級你的電池管理系統
- 電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車(chē)心臟般的存在，它不僅是車(chē)輛動(dòng)力之源，更是決定車(chē)輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車(chē)中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車(chē)輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監測和控制，以維持其長(cháng)久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)（EV）、數據中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場(chǎng)效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和絕緣
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國際大廠(chǎng)量產(chǎn)前夕國內廠(chǎng)商風(fēng)口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進(jìn)展。從國內外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠(chǎng)商方面則有更多廠(chǎng)家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠(chǎng)或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠(chǎng)建設計劃或被推遲，最早將于2025年開(kāi)始。據悉，該工廠(chǎng)由Wolfsp
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小米首款汽車(chē)發(fā)售，碳化硅加速前行
- 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng )始人雷軍正式宣告小米造車(chē)。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚杰科技等本土供應鏈廠(chǎng)商。芯片領(lǐng)域，英偉達為小米汽車(chē)提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會(huì )
- 華泰證券發(fā)布研報稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會(huì ))上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠(chǎng)商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長(cháng)?！ ∪A泰證券主要觀(guān)點(diǎn)如下：
- 關(guān)鍵字： 元宇宙 AR VR 碳化硅 先進(jìn)封裝
意法半導體碳化硅數位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應器設計及應用
- 服務(wù)橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日宣布與高效能電源供應領(lǐng)導廠(chǎng)商肯微科技合作，設計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設計技術(shù)。該參考方案是電源設計數位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數據中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著(zhù)人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數位服務(wù)的需求持續成長(cháng)，能源及用電控制是數據中心永續發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
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廠(chǎng)商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠(chǎng)已開(kāi)始安裝長(cháng)晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠(chǎng)將會(huì )有產(chǎn)出。該工廠(chǎng)將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 碳化硅
總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠(chǎng)封頂
- 據Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著(zhù)擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶(hù)協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動(dòng)具有重要
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 碳化硅
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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