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碳化硅（sic）
碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
碳化硅半導體--電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 毋庸置疑，從社會(huì )發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應用，工程師面臨著(zhù)更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續可靠地運行。為了進(jìn)一步推動(dòng)這些可持續解決方案，
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會(huì )展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
第三代半導體，距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
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悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線(xiàn)
- 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“悉智科技”）宣布，其首批車(chē)規級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線(xiàn)投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線(xiàn)的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開(kāi)發(fā)上，悉智科技取得了顯著(zhù)進(jìn)展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶(hù)的量產(chǎn)訂單，并會(huì )在今年四季度實(shí)現大規模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營(yíng)以來(lái)，始終專(zhuān)注于車(chē)規級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動(dòng)汽車(chē)、光儲新能源等客戶(hù)提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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碳化硅廠(chǎng)商，忙得不亦樂(lè )乎
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電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會(huì )發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應用，工程師面臨著(zhù)更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續可靠地運
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環(huán)球晶圓40億美元建廠(chǎng)，獲美國至多4億美元補助
- 當地時(shí)間7月17日，美國商務(wù)部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設兩座12英寸晶圓制造工廠(chǎng)。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進(jìn)芯片的300mm硅晶圓制造廠(chǎng)，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠(chǎng)。環(huán)球晶圓董事長(cháng)徐秀蘭表
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基本半導體銅燒結技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應用
- 引言：隨著(zhù)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車(chē)載功率芯片的理想選擇。同時(shí)，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開(kāi)發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。傳統互連材料的局限傳統的高溫錫基焊料和銀燒結技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險，在
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碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠(chǎng)
- 作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿(mǎn)足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通信雷達和航空航天等領(lǐng)域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長(cháng)高質(zhì)量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈上，關(guān)鍵部分主要集中
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成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開(kāi)發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據介紹，中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(cháng)（升華法）的傳統技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會(huì )大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術(shù)一直未應用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué)，通過(guò)推算溶液的動(dòng)態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
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ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸
- 6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開(kāi)始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競爭力的價(jià)格向市場(chǎng)供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪(fǎng)時(shí)表示：“目前，生產(chǎn)SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開(kāi)始逐步轉向8英寸?！彪S著(zhù)晶圓尺寸的增加，每片可以生產(chǎn)更多的芯片，每顆芯片的生產(chǎn)成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 意法半導體
瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規認證
- 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續將依托浙江義烏的車(chē)規級SiC晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
- 關(guān)鍵字： 瞻芯電子 SiC MOSFET 車(chē)規認證
2023年SiC功率元件營(yíng)收排名，ST以32.6%市占率穩居第一
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下保持強勁成長(cháng)，前五大SiC功率元件供應商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢(xún)分析，2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著(zhù)大增，然而，純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(cháng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(cháng)幅度將較過(guò)去幾年顯著(zhù)收斂。作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFE
- 關(guān)鍵字： SiC 功率元件 ST
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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