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碳化硅(sic)
碳化硅(sic) 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)技術(shù)社區
碳化硅的新爆發(fā)
- 隨著(zhù)全球對于電動(dòng)汽車(chē)接納程度的逐步提升,碳化硅(SiC)在未來(lái)十年將會(huì )迎來(lái)全新的增長(cháng)契機。預計將來(lái),功率半導體的生產(chǎn)商與汽車(chē)行業(yè)的運作方會(huì )更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設里。SiC 作為第三代半導體以其優(yōu)越的性能,在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過(guò)渡推動(dòng)由于截至 2024 年開(kāi)放 SiC 晶圓市場(chǎng)缺乏批量出貨,因此 8 英寸 SiC 平臺被認為具有戰略性意義。SiC 具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn),是良好的半導體材料,目前已經(jīng)在汽車(chē)電子、工業(yè)半導體等領(lǐng)域有
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純電車(chē)需求放緩 SiC功率組件業(yè)年營(yíng)收動(dòng)能降溫
- 在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下,根據TrendForce研究顯示,2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強勁成長(cháng),但2024年純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(cháng)速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱,預估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(cháng)幅度將較過(guò)去幾年顯著(zhù)收斂。根據TrendForce研究顯示,2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營(yíng)收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示,作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFET供貨商,ST正在意大利卡塔尼亞打
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GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速,車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)
- 根據Yole機構2024 Q1的預測,氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復合年增長(cháng) (CAGR) 將高于45%,其中表現最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)(automotive & mobility),“從無(wú)到有”,五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場(chǎng)(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應用市場(chǎng)成長(cháng)則顯得比較溫和,CAGR遠低于GaN(圖1)。隨著(zhù)GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速,功率器件器件市場(chǎng)競爭格局或將被改寫(xiě)。圖1:在GaN市場(chǎng)份額變化中,汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”,五年后
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一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統電力轉換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中,應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著(zhù)提升系統效率及功率密度,從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
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低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性
- 眾所周知,SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料,因其高擊穿場(chǎng)強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用,可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET,與傳統Si IGBT相比,SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應用中實(shí)現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標,從而推動(dòng)電力電子系統的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場(chǎng)景對應的功率等級2從技術(shù)上講,
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SiC 功率器件中的溝槽結構測量
- 汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應更高的電壓,擁有更快的開(kāi)關(guān)速度,并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實(shí)現這一點(diǎn)。但是,雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率,但它們也帶來(lái)了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來(lái)說(shuō),準確測量外延層生長(cháng)和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的,特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時(shí)。今天我們分享一下來(lái)自Onto Innovation 應用開(kāi)發(fā)總監Nick Keller的文章,來(lái)重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
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設計基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電機
- 電動(dòng)汽車(chē)(EV)直流快速充電機繞過(guò)安裝在電動(dòng)汽車(chē)上的車(chē)載充電機,直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示,直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成:圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機的主要關(guān)注點(diǎn)。在設計此類(lèi)系統時(shí),必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護,以及可靠性。相比傳統硅(Si)和 IGBT 器件,基于碳化硅(SiC)的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項,您知道嗎?
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著(zhù)性能提升,本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC,因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數據表中的典型V
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解決補能焦慮,安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布
- 800V車(chē)型刷屏,高壓SiC車(chē)載應用加速普及。實(shí)際上,近期有越來(lái)越多的國內外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構車(chē)型的量產(chǎn),多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標配SiC車(chē)型上市。2024年,隨著(zhù)車(chē)企卷價(jià)格卷性能戰略推進(jìn),將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來(lái)800V高壓平臺風(fēng)口◆ 800V架構成為電動(dòng)汽車(chē)主流電動(dòng)化進(jìn)程持續推進(jìn),安森美(onsemi)電源方案事業(yè)部汽車(chē)主驅方案部門(mén)產(chǎn)品總監Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車(chē)駛上道路。但從消費者角度看購買(mǎi)電動(dòng)車(chē)的兩大顧慮是續航里程和充電便利性
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備通過(guò)技術(shù)鑒定
- 6月7日,蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”)宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備獲行業(yè)專(zhuān)家認可,成功通過(guò)技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會(huì )認為,優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(cháng)設備及工藝成果技術(shù)難度大,創(chuàng )新性強,突破了國內大尺寸晶體生長(cháng)技術(shù)瓶頸,擁有自主知識產(chǎn)權,經(jīng)濟效益顯著(zhù)。資料顯示,優(yōu)晶科技成立于2010年12月,專(zhuān)注于大尺寸(6英寸及以上)導電型SiC晶體生長(cháng)設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備,經(jīng)持續工藝優(yōu)化,目前已推出至第四代機型——UKIN
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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
- 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時(shí)的溫度,分析兩個(gè)電驅逆變模塊驗證,該測溫系統的驗證方法是,根據柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內的裸片。我們將從實(shí)驗數據中提取一個(gè)數學(xué)模型,根據Vth選擇標準,預測當逆變器工作在電動(dòng)汽車(chē)常用的電壓和功率范圍內時(shí)的熱不平衡現象。此外,我們還能夠延長(cháng)測試時(shí)間,以便分析在電動(dòng)汽車(chē)生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收
- 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一,與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比,其上?;仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日,天岳先進(jìn)上?;仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展,再次成為焦點(diǎn)。2024年5月,天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區的生產(chǎn)基地第一個(gè)項目完成驗收,意味著(zhù)該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴產(chǎn)據悉,天岳先進(jìn)上?;仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報,規劃投資25億元,項目全部達產(chǎn)后,SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規模和產(chǎn)能規劃來(lái)看,上?;仨椖坑型屘煸老冗M(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
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意法半導體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
- ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長(cháng)期投資計劃預計投資總額達50億歐元,包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃,在一個(gè)園區內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn),賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的電氣化進(jìn)程和高能效轉型服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器
- 6月4日,NXP Semiconductors NV(恩智浦半導體)在官網(wǎng)披露,其與ZF Friedrichshafen AG(采埃孚)公司合作,為電動(dòng)汽車(chē)(EV)開(kāi)發(fā)基于碳化硅(SiC)的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓(HV)隔離柵極驅動(dòng)器,該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹,GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器,可延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程、減少充電停車(chē)次數、同時(shí)降低OEM廠(chǎng)商的系統級成本。據了解,牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統的
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 SiC 逆變器
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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