意法半導體先進(jìn)的電隔離柵極驅動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅動(dòng)器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。

STGAP3S 在柵極驅動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調、工廠(chǎng)自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機驅動(dòng)裝置的可靠性。新驅動(dòng)器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、直流-直流轉換器和太陽(yáng)能逆變器。

STGAP3S 產(chǎn)品系列為開(kāi)發(fā)者提供不同的產(chǎn)品型號選擇 ，其中包括驅動(dòng)電流 10A 和 6A的產(chǎn)品，兩種產(chǎn)品都具有不同的欠壓鎖定 (UVLO) 和去飽和干預閾值，幫助設計人員選擇與其所選的SiC MOSFET 或 IGBT 功率開(kāi)關(guān)管性能最匹配的驅動(dòng)器。

去飽和保護功能實(shí)現了對外部功率開(kāi)關(guān)管的過(guò)載和短路保護，可以使用外部電阻調整功率開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷策略，調整關(guān)斷速度來(lái)最大限度地提高保護功能，同時(shí)避免出現過(guò)多的過(guò)壓尖峰。欠壓鎖定保護可防止驅動(dòng)電壓不足時(shí)導通。

驅動(dòng)器集成的米勒鉗位架構為外部 N 溝道 MOSFET 提供一個(gè)預驅動(dòng)器。因此，設計人員可以靈活地選擇合適的干預速度，以防止感應導通，并避免交叉導通。

現有的產(chǎn)品型號包括驅動(dòng)能力10A 拉/灌電流和6A拉/灌電流的驅動(dòng)器，針對 IGBT 或 SiC 優(yōu)化的去飽和檢測和 UVLO 閾值，讓開(kāi)發(fā)者所選的功率開(kāi)關(guān)發(fā)揮極致性能。去飽和、UVLO 和過(guò)熱保護的故障情況通過(guò)兩個(gè)專(zhuān)用的開(kāi)漏診斷引腳通知控制器。

STGAP3SXS現已投產(chǎn)，采用 SO-16W 寬體封裝。詢(xún)價(jià)和申請樣片，請聯(lián)系當地意法半導體銷(xiāo)售辦事處。