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碳化硅(sic)
碳化硅(sic) 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)技術(shù)社區
吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議,成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室
- ●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室,共同推動(dòng)節能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議,在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定,意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
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意法半導體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議
- 6月4日,意法半導體(ST)與吉利汽車(chē)集團宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議,在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定,意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能,加快充電速度,延長(cháng)續航里程,深化新能源汽車(chē)轉型。此外,吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上,建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室,交流與探索在汽車(chē)電子/電氣(E/E)架構(如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統)、高級駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng )新解決方案。據數據顯
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議,深化新能源汽車(chē)轉型;成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室,推動(dòng)雙方創(chuàng )新合作
- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議,在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定,意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能,加快充電速度,延長(cháng)續航里程,深化新能源汽車(chē)轉型。此外,吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上,建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室,交流與探索在汽車(chē)電子/電氣(E/E)架構(如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統)、
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠(chǎng)
- 自意法半導體(STMicroelectronics)官方獲悉,當地時(shí)間5月31日,意法半導體宣布,將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅(SiC)工廠(chǎng),用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠(chǎng)的建設是支持汽車(chē)、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶(hù)向電氣化過(guò)渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據悉,該項目預計總投資約為50億歐元(約合人民幣392.61億元),意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠(chǎng)的目標是在2026年投入生產(chǎn),到2033年達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn),滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
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構建新型能源體系,充電樁市場(chǎng)將迎來(lái)高增長(cháng)
- ? ?能源是人類(lèi)生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎,能源轉型則是當今國際社會(huì )關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題,隨著(zhù)全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂(yōu),新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(cháng)?! ‘斍叭蚱?chē)產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn),在新能源革命浪潮下,新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著(zhù)新能源汽車(chē)技術(shù)的日趨成熟,充電基礎設施快速發(fā)展。近年來(lái),我國已建成世界上數量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類(lèi)型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測算,中國2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車(chē)的車(chē)樁比已經(jīng)1:1,領(lǐng)先世界其它國家數倍
- 關(guān)鍵字: 充電樁 新能源汽車(chē) SIC
如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性?垂直整合是關(guān)鍵!
- 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了對下一代功率半導體的需求,尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實(shí)上,至少在本世紀下半葉之前,SiC功率器件可能會(huì )供不應求。而隨著(zhù) SiC 襯底應用于 SiC 功率器件,襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步,以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性?為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性,還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展?SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物,與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運行,并能有效處理更高電壓,從而增強電動(dòng)汽車(chē)的功率密度
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET:聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET,SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域,SiC MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能,SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而,SiC MOSFET的獨特器件特性,也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解,其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布,公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
- 關(guān)鍵字: Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。 這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶(hù)可選的負柵極驅動(dòng)偏置,以實(shí)現更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅動(dòng)器
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動(dòng)器
布局海外市場(chǎng),兩家半導體企業(yè)開(kāi)展合作
- 根據合肥安賽思半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):安賽思)官方消息,5月18日,安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):三福半導體)簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導體聯(lián)合實(shí)驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹,安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè),目前已成功開(kāi)發(fā)了IGBT和SiC智能驅動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品,應用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試,致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉移轉化
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 化合物半導體
這家GaN外延工廠(chǎng)開(kāi)業(yè)!
- 作為第三代半導體兩大代表材料,SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展,頻頻傳出各類(lèi)利好消息;GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續上漲中,圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設等動(dòng)作,不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面,上個(gè)月,能華半導體張家港制造中心(二期)項目在張家港經(jīng)開(kāi)區再制造基地正式開(kāi)工建設。據悉,能華半導體張家港制造中心(二期)項目總投資6000萬(wàn)元,總建筑面積約10000平方米,將新建GaN外延片產(chǎn)線(xiàn)。項目投產(chǎn)后,將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日,又有一個(gè)GaN外延片項目取得新進(jìn)展。5
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
多款車(chē)型相繼發(fā)布,SiC技術(shù)加速“上車(chē)”
- SiC技術(shù)似乎已成為蔚來(lái)旗下新車(chē)型標配。蔚來(lái)在去年12月發(fā)布的行政旗艦車(chē)型ET9,搭載了蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊,以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包,單顆電芯能量密度高達292Wh/kg,充電效率達到5C,呈現出來(lái)的效果就是充電5分鐘,續航255公里。近日,蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車(chē)型正式發(fā)布,這便是其全新品牌樂(lè )道的首款車(chē)型L60。據悉,樂(lè )道全域采用900V高壓架構,包括電驅系統、熱泵空調、輔助加熱器(PTC)、車(chē)載充電機(OBC)、直流電壓變換器(DC-DC)均為900
- 關(guān)鍵字: Sic 新能源汽車(chē) 蔚來(lái)
英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應一系列產(chǎn)品
- Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示,將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車(chē)供應碳化硅(SiC)功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如,基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續航里程。英飛凌為小米SU7 Max車(chē)型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外,英飛凌還為小米電動(dòng)汽車(chē)供應了一系
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 小米 SU7 智能電動(dòng)汽車(chē) SiC
安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì )即將啟動(dòng)
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi),將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車(chē)應用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì )。該系列研討會(huì )將針對汽車(chē)電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續性能源發(fā)展的廣泛應用場(chǎng)景,共同探討最新的能效設計挑戰,展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們,加速先進(jìn)功率半導體技術(shù)的落地,實(shí)現應用系統的最佳能效。在中國,市場(chǎng)對SiC的需求強勁,應用場(chǎng)景日益多樣化。新能源
- 關(guān)鍵字: 安森美 碳化硅 功率解決方案
中宜創(chuàng )芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)達產(chǎn)
- 近日,河南中宜創(chuàng )芯發(fā)展有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中宜創(chuàng )芯”)SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)成功達產(chǎn),產(chǎn)品純度最高達到99.99999%,已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開(kāi)展試用和驗證。資料顯示,中宜創(chuàng )芯成立于2023年5月24日,由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立,總投資20億元,分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線(xiàn)。項目一期總投資6億元,年產(chǎn)能500噸,占地12000平方米,2023年6月20日開(kāi)工建設,9月20日項目建成并試生產(chǎn),9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元,據悉
- 關(guān)鍵字: 中宜創(chuàng )芯 SiC
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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