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晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區
臺積電2nm良率曝光
- 在技術(shù)驅動(dòng)型產(chǎn)業(yè)中，半導體行業(yè)始終走在全球科技變革的最前沿。2024年，臺積電（TSMC）正式啟動(dòng)2nm制程（N2）試產(chǎn)，每片晶圓的代工報價(jià)高達3萬(wàn)美元，再次引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。最新數據顯示，得益于存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化，臺積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠(chǎng)風(fēng)險試產(chǎn)以來(lái)，良率從去年底的60%快速攀升至當前的90%（256Mb SRAM）。從3nm節點(diǎn)的初期投產(chǎn)經(jīng)驗看，良率爬坡是一大挑戰。但憑借3nm節點(diǎn)200萬(wàn)片晶圓的量產(chǎn)經(jīng)驗，將2nm工藝開(kāi)發(fā)周期壓縮至18個(gè)月，良率僅用9個(gè)月便從30%提升至60%，
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臺積電可能對1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成
- 隨著(zhù)臺積電準備在今年晚些時(shí)候開(kāi)始采用其 N2（2nm 級）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續節點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現。我們已經(jīng)知道，據報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現在《中國時(shí)報》報道稱(chēng)，該公司將對“更先進(jìn)的節點(diǎn)”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據稱(chēng)這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據傳 [更多] 先進(jìn)節點(diǎn)將達到 45,000
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三星美國工廠(chǎng)進(jìn)退兩難
- 由于全球芯片供應過(guò)剩削弱了早期的樂(lè )觀(guān)預期，三星計劃在美國德克薩斯州投資超過(guò)370億美元的半導體制造項目建設進(jìn)度滯后。據韓國業(yè)界消息，截至4月22日，三星電子位于德州泰勒市的工廠(chǎng)建設進(jìn)度已達99.6%，通常情況下應開(kāi)始搬入設備，但三星目前仍在猶豫是否下單。自2022年動(dòng)工以來(lái)，泰勒工廠(chǎng)的建設時(shí)間表已多次推遲。該廠(chǎng)最初計劃于2024年下半年投入運營(yíng)，后調整至2025年，2025年初又進(jìn)一步推遲至2026年。同時(shí)，三星在本土也推遲了部分工廠(chǎng)建設進(jìn)度，并在整體需求低迷的背景下縮減了投資。補貼面臨不確定性三星的泰勒
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傳臺積電2nm晶圓將飆升至每單位30美元，CSP巨頭急于2027之前采用
- 據《商業(yè)時(shí)報》報道，隨著(zhù)臺積電準備在 2H25 年量產(chǎn) 2nm，據報道，2nm 晶圓價(jià)格已達到每單位 30,000 美元，未來(lái)節點(diǎn)的價(jià)格可能會(huì )飆升至 45,000 美元。報告補充說(shuō)，盡管成本高昂，但主要 CSP 將在未來(lái) 2 年內效仿 AMD、NVIDIA 和 Broadcom 采用該節點(diǎn)。商業(yè)時(shí)報援引供應鏈消息人士的話(huà)說(shuō)，開(kāi)發(fā)單個(gè) 2nm 芯片——從項目啟動(dòng)到最終輸出——成本高達 7.25 億美元。盡管如此，頂級玩家仍在潛入——正如該報告所指出的，AMD 的下一代 EPYC“Venice”是 4 月份在
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數字孿生技術(shù)助力晶圓廠(chǎng)，AI 工廠(chǎng)發(fā)展
- 從英偉達到眾多公司，廣泛采用數字孿生技術(shù)以推動(dòng)復雜制造工廠(chǎng)的開(kāi)發(fā)。臺積電正在使用其晶圓廠(chǎng)的數字孿生，而雅各布斯公司，包括英國 PA 咨詢(xún)公司，正利用其在交通和水利系統方面的數字孿生專(zhuān)業(yè)知識來(lái)優(yōu)化人工智能數據中心。其他使用該技術(shù)的電子公司包括富士康、大立、緯創(chuàng )和華勤。臺積電正與一家人工智能驅動(dòng)的數字孿生初創(chuàng )公司合作，以?xún)?yōu)化其新工廠(chǎng)的規劃和建設。在數字孿生中可視化這些優(yōu)化的布局，使規劃團隊能夠主動(dòng)識別和解決設備碰撞問(wèn)題，理解系統相互依賴(lài)關(guān)系，并評估對空間和運營(yíng)關(guān)鍵績(jì)效指標的影響。它正在使用英偉達的 cuOpt
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晶圓片上的浪漫
- 清華電子工程系2001級校友甩出王炸校慶禮，硬核浪漫直接拉滿(mǎn)！8英寸晶圓片上，清華電子系把建系以來(lái)2.8萬(wàn)多個(gè)師生、校友的名字，拼成了電子系系徽。每個(gè)像素點(diǎn)都鐫刻著(zhù)一個(gè)名字，掃碼就能找到自己名字的位置。來(lái)源｜清華大學(xué)小紅書(shū)該晶圓采用單晶硅襯底材料，晶圓表面通過(guò)金屬刻蝕和特殊薄膜加工工藝呈現出紫色的電子系系徽圖案。在顯微鏡下可以看到，組成系徽圖案的每個(gè)點(diǎn)實(shí)際上由電子系建系以來(lái)所有師生的一個(gè)個(gè)名字組成的。來(lái)源｜微信公眾號霧里發(fā)電
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臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿(mǎn)足當地客戶(hù)的需求
- 上個(gè)月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠(chǎng)名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠(chǎng)。不過(guò)隨著(zhù)項目的推進(jìn)，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿(mǎn)足當地客戶(hù)日益增長(cháng)的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格，以加快大規模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預計采用300mm x
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臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠(chǎng)火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)
- 3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠(chǎng)將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預計今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠(chǎng)同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓，最大設計產(chǎn)能更可達8萬(wàn)片。與此同時(shí)，市場(chǎng)對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng )造301億美元的營(yíng)收，這一數字凸顯先進(jìn)制程在A(yíng)I、高性能計算等領(lǐng)域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶(hù)，蘋(píng)果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 量產(chǎn) 蘋(píng)果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構 3nm FinFET
4月1日，臺積電正式接受2nm訂單
- 4月1日起，臺積電2nm晶圓的訂單通道將正式開(kāi)放，臺積電董事長(cháng)魏哲家透露，客戶(hù)對于2nm技術(shù)的需求甚至超過(guò)了3nm同期。蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應，根據知名蘋(píng)果供應鏈分析師郭明錤的最新分析，2026年下半年上市的iPhone 18全系列將搭載的A20處理器或全球首發(fā)2nm工藝。而iPhone 17系列的A19芯片將采用臺積電第三代3nm工藝（N3P）制造，若A20芯片如期量產(chǎn)，A20芯片在性能和能效方面將有更顯著(zhù)的提升。業(yè)內人士分析，A20性能提升幅度或超歷代芯片迭代，同時(shí)還為蘋(píng)果下一步的折疊屏、屏下Fac
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消息稱(chēng)臺積電4月1日開(kāi)放2nm晶圓訂單通道，目標年底實(shí)現月產(chǎn)5萬(wàn)片
- 3 月 24 日消息，據臺灣地區《中國時(shí)報》今日報道，臺積電正在全力提升 2nm 產(chǎn)能，其位于高雄和寶山的工廠(chǎng)將是關(guān)鍵基地。高雄廠(chǎng)將于 3 月 31 日舉行擴產(chǎn)典禮，首批晶圓預計 4 月底送達新竹寶山。4 月 1 日起，2nm 工藝的訂單通道將正式開(kāi)放，蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應，這一趨勢符合過(guò)往經(jīng)驗。蘋(píng)果計劃采用臺積電 2nm 工藝打造 A20 芯片，該芯片將專(zhuān)為 iPhone 18 設計，并預計于 2026 年下半年發(fā)布。此外，包括 AMD、英特爾、博通和 AWS 在內的眾多客戶(hù)也在排隊等待 2nm 產(chǎn)
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Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預期更早
- Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠(chǎng)傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠(chǎng)的Intel 18A工藝開(kāi)始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計劃有望提早實(shí)現。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著(zhù)陸”為喻，強調這一節點(diǎn)開(kāi)發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節點(diǎn)已開(kāi)始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶(hù)進(jìn)行測試與評估。這標志著(zhù)英特爾18A節點(diǎn)的工藝設計套件（PDK）正式進(jìn)入1.0版本，客戶(hù)已開(kāi)始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測試。Intel 18
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英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓
- 據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì )議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時(shí)間和成本。英特爾工廠(chǎng)的早期結果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個(gè)位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個(gè)處
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三星電子晶圓代工部門(mén)設備投資預算陡降
- 據韓媒報道，根據三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計劃，該部門(mén)今年的設備投資預算將僅剩5萬(wàn)億韓元（約合人民幣254億元），較2024年的10萬(wàn)億韓元直接砍半。而三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021~2023年的投資高峰期每年的設備投資規?？蛇_15~20萬(wàn)億韓元。據了解，三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年的投資重點(diǎn)將放在華城 S3 工廠(chǎng)的 3nm->2nm 工藝轉換和平澤 P2 工廠(chǎng)的 1.4nm 測試線(xiàn)上，還將對美國泰勒市晶圓廠(chǎng)進(jìn)行小規?；A設施投資。
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應對降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠(chǎng)NAND閃存！
- 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠(chǎng)的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過(guò)剩導致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠(chǎng)的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預計將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線(xiàn)也將調整其供應，導致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施，當時(shí)
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世界先進(jìn)與NXP合資廠(chǎng) 新加坡廠(chǎng)動(dòng)土
- 世界先進(jìn)及恩智浦半導體（NXP）于今年9月成立之VSMC合資公司，4日在新加坡淡濱尼舉行12吋晶圓廠(chǎng)動(dòng)土典禮，該晶圓廠(chǎng)將于2027年開(kāi)始量產(chǎn)，2029年月產(chǎn)能預計將達5.5萬(wàn)片12吋晶圓。世界先進(jìn)暨VSMC董事長(cháng)方略表示，新加坡不僅是亞洲的經(jīng)濟樞紐，更是科技創(chuàng )新的高地，世界先進(jìn)在新加坡興建首座12吋晶圓廠(chǎng)，將延續核心經(jīng)營(yíng)理念，提供特殊集成電路晶圓制造的專(zhuān)業(yè)服務(wù)，并為未來(lái)發(fā)展奠定堅實(shí)基礎。這座新廠(chǎng)不僅將為半導體產(chǎn)業(yè)做出貢獻，更將為當地高科技產(chǎn)業(yè)注入強勁動(dòng)能。方略日前也指出，世界先進(jìn)近年持續策略轉型，氮化鎵今
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠(chǎng)再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
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