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晶圓
晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區
英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪(fǎng)時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠(chǎng)生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠(chǎng)制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴建其Kulim工廠(chǎng)（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠(chǎng)SiC（碳化硅）功率工廠(chǎng)。值得一提的是該計劃
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ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤(pán)系統
- ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤(pán)系統，該系統主要針對嵌入式處理器、DRAM 和 NAND 等應用的晶圓測試，可在 -40°C 耗散高達 2.5kW 的功率 。2023 年 11 月 14 日，半導體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領(lǐng)導者——ERS electronic，現推出全新高功率溫度卡盤(pán)系統。該技術(shù)針對高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 器件應用的晶圓測試，可在-60°C 至+200°C 溫度范圍內對 Device Under Test (DUT)進(jìn)行精確且強大的溫度控制
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晶圓代工大廠(chǎng)10月?tīng)I收月增34.8%，透露PC/手機復蘇有影
- 11月10日，晶圓代工大廠(chǎng)臺積電發(fā)布公10月?tīng)I收公告，該月?tīng)I收約2432.03億元新臺幣，較9月增加34.8%，較2022年同期增加15.7%，創(chuàng )歷史新高，并終止連七個(gè)月?tīng)I收年減。2023年1月至10月?tīng)I收1兆7794 .1億元新臺幣，較2022年同期減少3.7%。臺積電在上次法說(shuō)會(huì )預估，第四季以美元計價(jià)的營(yíng)收金額約188億至196億美元，毛利率51.5%~53.5%，營(yíng)業(yè)利益率39.5%~41.5%。若以1美元兌換新臺幣32元匯率基礎計算，第四季營(yíng)收將落在6016億至6072億元新臺幣，較第三季成長(cháng)9%
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SEMI報告：全球硅晶圓出貨量繼2023年下降后，2024年將反彈
- 美國加州時(shí)間2023年10月26日，SEMI在其年度硅出貨量預測報告中指出，受半導體需求的持續疲軟和宏觀(guān)經(jīng)濟狀況影響，2023年全球硅晶圓出貨量預計將下降14%，從2022年創(chuàng )紀錄的14565百萬(wàn)平方英寸（million square inches, MSI）降至12512百萬(wàn)平方英寸，隨著(zhù)晶圓和半導體需求的恢復和庫存水平的正?；?，全球硅晶圓出貨量將在2024年反彈。隨著(zhù)人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G、汽車(chē)和工業(yè)應用推動(dòng)著(zhù)硅需求的增加，從2024年開(kāi)始的反彈勢頭預計將持續到2026年，晶圓出
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產(chǎn)量大幅增長(cháng)。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè )觀(guān)預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著(zhù)各公司產(chǎn)能釋放，預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據行業(yè)消息和市調機構的統計，此前天岳先進(jìn)、天科合達合計占據全球
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中國香港地區將建首個(gè)具規模的半導體晶圓廠(chǎng)
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng )造超過(guò)700個(gè)本地和
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SEMI報告：2026年全球200mm晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能將創(chuàng )記錄新高
- 美國加州時(shí)間2023年9月19日，SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠(chǎng)展望報告》（200mm Fab Outlook to 2026）顯示，預計在2023年到2026年，全球半導體制造商200mm晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能將增加14%，新增12個(gè)200mm晶圓廠(chǎng)（不包括EPI），達到每月770多萬(wàn)片晶圓的歷史新高。功率化合物半導體對消費、汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要，是200mm投資的最大驅動(dòng)力。特別是電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力總成逆變器和充電站的發(fā)展，預計隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)采用率的持續上升，將推動(dòng)全球200mm晶圓產(chǎn)能的增長(cháng)。SEMI總
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晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展
- 在我從事半導體設備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過(guò)程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來(lái)。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個(gè)問(wèn)題，但我們的客戶(hù)經(jīng)理不太高興，因為他們不得不向客戶(hù)解釋由此導致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過(guò)程不太順利，但當2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時(shí)，我開(kāi)始更加關(guān)注這個(gè)領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構集成
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為下一代半導體鋪路，日本科學(xué)家用激光解決金剛石晶圓切片難題
- IT之家 8 月 3 日消息，金剛石（鉆石的原石）是半導體行業(yè)有前景的材料之一，但由于將其切割成薄晶圓具有挑戰性，因此一直沒(méi)有大規模應用。當地時(shí)間周二，日本千葉大學(xué)官網(wǎng)發(fā)布消息，介紹了一項被稱(chēng)為金剛石半導體新型激光切片技術(shù)的突破，使用激光脈沖將金剛石切割成薄片，號稱(chēng)“為下一代半導體材料鋪平了道路”。千葉大學(xué)的一個(gè)研究小組開(kāi)發(fā)了一種新的基于激光的技術(shù)，號稱(chēng)“可以毫不費力地沿著(zhù)最佳晶面切割金剛石”，可用于電動(dòng)汽車(chē)的高效功率轉換和高速通信技術(shù)?！?圖源日本千葉大學(xué)官網(wǎng)據介紹，包括金剛石在內的大多數晶體
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ERS進(jìn)入中國的第六年：實(shí)驗室落戶(hù)上海
- 作為半導體從業(yè)者，我們都知道芯片制造程序大致有IC設計、晶圓制造和封裝三大環(huán)節，每個(gè)環(huán)節都會(huì )影響到產(chǎn)品的好壞?？偟膩?lái)說(shuō)，一顆設計完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環(huán)節的影響，所以必須要通過(guò)測試環(huán)節來(lái)把控芯片質(zhì)量的優(yōu)劣。而半導體測試主要包括芯片設計環(huán)節中的設計驗證、晶圓制造中的晶圓針測以及成品測試。晶圓針測通常發(fā)生在晶圓加工完成后，封裝工藝進(jìn)行前，主要用到的設備是探針臺，用于晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個(gè)測試。通過(guò)電學(xué)參數檢測等，測試晶圓上每個(gè)晶粒的有效性，標記異常的晶粒，減少后續
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格芯和意法半導體正式簽署法國12英寸半導體晶圓新廠(chǎng)協(xié)議
- 中國，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產(chǎn)品技術(shù)的半導體制造商格芯(GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱(chēng)GF；納斯達克證交所代碼:GFS)和服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，雙方于2022年7月公布的將在法國Crolles新建一個(gè)高產(chǎn)能半導體聯(lián)營(yíng)廠(chǎng)的合作，現正式完成協(xié)議簽署。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield博士表示：“我要向法國經(jīng)濟和財政部長(cháng)勒梅爾及其團隊致謝，感謝他
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3nm貴出天際 多家客戶(hù)推遲訂單 臺積電喊話(huà)：別怕漲價(jià) 在想辦法了
- 5月12日消息，臺積電去年底已經(jīng)量產(chǎn)了3nm工藝，今年會(huì )大規模放量，蘋(píng)果依然會(huì )首發(fā)3nm，但是臺積電的3nm工藝代工成本不菲，很多廠(chǎng)商也吃不消。此前數據顯示，從10nm開(kāi)始，臺積電的每片晶圓價(jià)格開(kāi)始瘋狂增長(cháng)，2018年的7nm晶圓每片價(jià)格飆升至10000美元，2020年的5nm工藝晶圓每片價(jià)格突破16000美元。而到了3nm工藝，這個(gè)數字就達到了20000美元，約合14萬(wàn)人民幣，而且這還是基準報價(jià)，訂單量不夠的話(huà)價(jià)格會(huì )更高。這也導致除了蘋(píng)果之外，其他客戶(hù)，如AMD、NVIDIA、高通、聯(lián)發(fā)科等，要么推遲3
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臺積電貴出天際 谷歌手機處理器仍用三星4nm
- 5月8日消息，臺積電是全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)，然而代工價(jià)格也是業(yè)界最貴的，特別是先進(jìn)工藝代工，5nm芯片代工要1.7萬(wàn)美元，3nm等下一代工藝更是貴出天際，除了蘋(píng)果之外其他廠(chǎng)商很難跟進(jìn)。谷歌的安卓親兒子Pixel系列也使用了三星、谷歌合作的Tensor G系列處理器，今年是Tensor G3系列，基于三星的芯片改進(jìn)，生產(chǎn)工藝也是三星的4nm工藝，沒(méi)用上臺積電4nm，盡管后者的能效可能更好。傳聞稱(chēng)明年的Tensor G4會(huì )改用谷歌自研架構，并轉向臺積電的4nm工藝代工，再往后的Tensor G5甚至會(huì )上
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠(chǎng)再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
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