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光刻
光刻 文章 進(jìn)入光刻技術(shù)社區
SUSS MicroTec推出面向LED市場(chǎng)的專(zhuān)用光刻系統
- SUSS MicroTec，全球知名的半導體行業(yè)及相關(guān)設備和工藝解決方案供應商，推出新一代MA100e光刻機，專(zhuān)用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)生產(chǎn)。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機經(jīng)典設計，具有最大至4英寸的載片能力，每小時(shí)產(chǎn)量可達145片，業(yè)界領(lǐng)先。 電視機、顯示器等對LED背光的需求急劇增長(cháng)，LED設備生產(chǎn)商必須盡力滿(mǎn)足這一市場(chǎng)增長(cháng)需要。LED行業(yè)對成本很敏感，所以SUSS MicroTec設計的MA100e Gen2自動(dòng)光刻機在成本控制方面極具競爭力。設備配置的高照
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新型高科技芯片有望使海水變成淡水
- [導讀]將海水變?yōu)槿祟?lèi)可以飲用的淡水一直是一個(gè)吃力不討好的差事，它耗能大、水質(zhì)又差，現在MIT的科學(xué)家們制造的芯片可以更好地完成這個(gè)工作。 雖然地球表面有超過(guò)70%被水覆蓋，但是我們可以直接使用的淡水卻并不算多。海洋中的苦澀咸水占了總水量的97.5%，剩下的淡水又大部分集中在南北極和冰川上。數百萬(wàn)年來(lái)，人類(lèi)只能依靠?jì)H占總水量0.2%的淡水生存。 將海水變?yōu)榈莻€(gè)歷史悠久的課題。雖然早在1954年人們就修建了大規模的海水淡化廠(chǎng)，但是直到目前為止，最常見(jiàn)的海水脫鹽方式依然是半透膜反滲透或者多
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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強IC業(yè)務(wù)
- 歐洲半導體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。 可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng )造應有的價(jià)值。顯然近年來(lái)其pilot生產(chǎn)線(xiàn)中EUV光刻研發(fā)的 費用高聳,也難以為繼。 近幾年來(lái)IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進(jìn)步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著(zhù)NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個(gè)方面加強合作。 IMEC作
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IC設備國產(chǎn)化多點(diǎn)突破二手市場(chǎng)尋求整合
- “工欲善其事，必先利其器。”集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開(kāi)裝備制造業(yè)的支撐，而裝備業(yè)的發(fā)展水平也是衡量一個(gè)國家集成電路產(chǎn)業(yè)總體水平的重要標準。近年來(lái)，我國集成電路裝備業(yè)取得了長(cháng)足的進(jìn)步，12英寸設備在多個(gè)工序實(shí)現國產(chǎn)化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)在我國仍有很大的發(fā)展空間，這也給國外的二手設備提供了用武之地，同時(shí)，也給從事設備翻新的企業(yè)提供了發(fā)展機遇。 12英寸國產(chǎn)設備進(jìn)展顯著(zhù) ●多種核心裝備實(shí)現國產(chǎn)化 ●12英寸65納米是下階段重點(diǎn) 一條標準的集成電
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張忠謀公開(kāi)臺積電20nm制程技術(shù)部分細節
- 臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過(guò)22nm全代制程，直接開(kāi)發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì )展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細節，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個(gè)主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會(huì )跳過(guò)18nm制程。 根據臺積電會(huì )上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結構，增強技術(shù)方面則會(huì )使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
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未來(lái)三年內存價(jià)格將持續攀升
- DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內將持續走高。這家市場(chǎng)分析公司將內存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表示，2001-2003年，內存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們預計從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 不過(guò)內存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
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ASML第一季訂單量繼續增長(cháng)
- 荷蘭半導體設備生產(chǎn)商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續好轉，投資者將詳細審視該公司業(yè)績(jì)，以尋找芯片行業(yè)結構性復蘇的跡象。 分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺積電等大型芯片生產(chǎn)商業(yè)績(jì)預估的風(fēng)向標。 根據路透調查，第一季半導體光刻設備訂單料為43筆，多于前一季的40筆。 ASML是全球最大的光刻設備生產(chǎn)商，其競爭對手包括日本的Nikon和佳能。 分析師預計ASML第一季凈利為9,900萬(wàn)歐元(1.324億美元)，營(yíng)收為7.13億歐元。15位分析師的營(yíng)收預估范圍為5.90億
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Vistec Lithography宣布與華中科技大簽署戰略合作伙伴協(xié)議
- 電子束光刻系統的知名廠(chǎng)商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國武漢華中科技大學(xué)光電工程學(xué)院簽署了戰略合作伙伴協(xié)議。武漢華中科技大學(xué)是大陸國家級重點(diǎn)院校之一，而 Vistec Lithography則是電子束光刻設備的領(lǐng)先廠(chǎng)商，按協(xié)議規定，兩家將在納米光刻技術(shù)研究和教學(xué)領(lǐng)域開(kāi)展合作。 這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學(xué)的EBPG5000pES電子束光刻系統，裝備這套系統之后，華中科技大學(xué)在教學(xué)，科研以及對外合作方面的實(shí)力將如虎添翼。華中科技大學(xué)稱(chēng)：“
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DRAMeXchange：未來(lái)三年內存價(jià)格將持續攀升
- DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內將持續走高。這家市場(chǎng)分析公司將內存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表 示，2001-2003年，內存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們 預計從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 不過(guò)內存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
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IBM宣布旗下芯片廠(chǎng)將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物
- IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠(chǎng)中將停止使用全氟辛烷磺?；衔?PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國家的環(huán)保部門(mén)出臺限制使用這兩種化合物的法規之后，美國環(huán)保署也出臺了限制在消費級產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用這兩種化合物的法規，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 不過(guò)在半導體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過(guò)10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 IBM公司主管微電
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì )上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長(cháng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 Intel實(shí)驗室中的EUV曝光設備 根據會(huì )上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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三項半導體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
- 半導體技術(shù)市場(chǎng)權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 據IC Insights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠(chǎng)需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設--比預期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會(huì )應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會(huì )被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。 另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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北美半導體設備訂單出貨保持平穩增長(cháng) 訂單出貨比微跌至1.06
- SEMI日前公布了2009年11月份北美半導體設備制造商訂單出貨比報告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統計，11月份北美半導體設備制造商訂單額為7.905億美元，訂單出貨比為1.06。訂單出貨比為1.06意味著(zhù)該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值106美元的訂單。 報告顯示，11月份7.905億美元的訂單額較10月份7.563億美元最終額增長(cháng)4.5%，較2008年11月份的7.838億美元最終額增長(cháng)1%。 與此同時(shí)，2009年11月份北美半導體設備制造商出貨額為7.437億美元，較10月份6.94
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2012年前內存芯片廠(chǎng)商的重點(diǎn)將不會(huì )放在產(chǎn)能拓展方面
- 據iSuppli公司分析，由于全球內存芯片廠(chǎng)商在2005-2007年間已經(jīng)耗費了大量資本進(jìn)行設備投資和產(chǎn)能擴展,因此現有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿(mǎn)足2012年的市場(chǎng)需求，這便意味著(zhù)在未來(lái)兩年之內全球內存芯片廠(chǎng)商的主要精力將不會(huì )放在產(chǎn)能拓展方面。 ”2005-2007年間，內存芯片廠(chǎng)商共花費了500億美元的資金來(lái)采購新的制造設備和建設新的芯片廠(chǎng)，這筆花費已經(jīng)占到同期整個(gè)內存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的55%左右。“iSuppli公司的高級內存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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中國32nm技術(shù)腳步漸近
- 32nm離我們還有多遠?技術(shù)難點(diǎn)該如何突破?材料與設備要扮演何種角色?10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導體技術(shù)研討會(huì )即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰”這一主題進(jìn)行了探討。 32nm節點(diǎn)挑戰無(wú)限 “45nm已進(jìn)入量產(chǎn)，32nm甚至更小的22nm所面臨的挑戰已擺在我們面前。”中芯國際資深研發(fā)副總裁季明華博士在主題演講時(shí)說(shuō)，“總體來(lái)說(shuō)，有四個(gè)方面值得我們注意。首先是CMOS邏輯器件如何與存儲器件更還的集成在一起;其次是SOC技術(shù)的巨大挑戰，
- 關(guān)鍵字： Cymer 32nm 光刻
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學(xué)腐蝕相結合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長(cháng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細 ]
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