Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)

　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì )上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長(cháng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。

　　Intel實(shí)驗室中的EUV曝光設備

　　根據會(huì )上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Intel從去年開(kāi)始便獨家使用尼康公司的193nm沉浸式光刻機制造32nm制程產(chǎn)品。(此前曾有傳言稱(chēng)臺積電最近也購買(mǎi)了尼康公司的193nm沉浸式光刻設備,不過(guò)雙方后來(lái)矢口否認了這一傳言.)

　　過(guò)去Intel曾計劃在22nm制程節點(diǎn)轉向EUV技術(shù)，并計劃明年開(kāi)始采用這種技術(shù)。不過(guò)據Intel負責高級光刻技術(shù)的高管Yan Borodovsky表示，Intel目前還沒(méi)有做好在22/15nm制程節點(diǎn)引入EUV技術(shù)的準備。他并表示Intel將在22nm制程節點(diǎn)繼續使用193nm沉浸式光刻技術(shù)。

　　Intel還在會(huì )上表示他們有能力將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至15nm制程節點(diǎn)，也就是說(shuō)這項技術(shù)的壽命可望延續到2013年左右，Borodovsky并認為，按照目前的情況看來(lái)，193nm沉浸式光刻+pitch division的工藝組合才是實(shí)現15nm制程產(chǎn)品量產(chǎn)的“唯一選擇”。

　　不過(guò)他表示,在15nm節點(diǎn)制程處，Intel將“首先采用EUV技術(shù)進(jìn)行試產(chǎn)，假如屆時(shí)無(wú)掩模技術(shù)已經(jīng)成熟，那么我們還會(huì )采用這種技術(shù)進(jìn)行試產(chǎn)。”

　　在接下來(lái)的11nm制程節點(diǎn)中，Intel仍有計劃想在五重掩模技術(shù)(five mask)的配合下繼續延用193nm沉浸式光刻技術(shù)，Borodovsky稱(chēng)：“193nm沉浸式光刻技術(shù)應可在五重掩模技術(shù)的配合下滿(mǎn)足11nm制程的要求。”

　　據Intel表示，11nm制程節點(diǎn)上該公司的光刻技術(shù)將采用多種光刻工藝互補混搭的策略，將193nm沉浸式光刻技術(shù)與EUV,無(wú)掩模光刻(maskless)等技術(shù)混合在一起來(lái)滿(mǎn)足11nm制程的需求。

　　目前還不清楚Intel最終會(huì )采用EUV或無(wú)掩模光刻技術(shù)中的哪一種，Intel表示留給EUV技術(shù)最終成熟的時(shí)間點(diǎn)是在2011/2012年前;而留給無(wú)掩模技術(shù)的時(shí)間點(diǎn)則是在2012年以前。而其EUV領(lǐng)域的主要競爭對手三星公司將EUV技術(shù)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)也同樣定在了2012年前。