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11nm
11nm 文章 進(jìn)入11nm技術(shù)社區
三星宣布將為中高端機型推出11nm芯片
- 本周一，三星宣布了全新的11nm LPP工藝，它將用于三星后續推出的中高端機型。三星在新聞公告中表示，11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。 目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手機。三星表示，10nm用于旗艦手機，11nm用于中高端，形成差異化，預計2018年上半年在市場(chǎng)投放。與此同時(shí)，三星也成為了市場(chǎng)上最先確認7nm的企業(yè)，其7nm LPP定于2018下半年開(kāi)始試產(chǎn)，采用EUV極紫外光刻技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 三星 11nm
Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì )上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長(cháng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節點(diǎn)，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 Intel實(shí)驗室中的EUV曝光設備 根據會(huì )上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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11nm介紹
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