High NA EUV主要部件已經(jīng)啟動(dòng)，達成“第一道光”里程碑！

2月29日消息，據外媒Tomshardware報導，ASML與英特爾于本周宣布達成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特爾交付的最先進(jìn)High NA EUV光刻機Twinscan EXE:5000的主要部件已經(jīng)啟動(dòng)，即首度打開(kāi)光源并使光線(xiàn)到達晶圓上的抗蝕層，并開(kāi)始運作，表示光源和反射鏡已正確對準。這是High-NA EUV光刻機啟動(dòng)過(guò)程中的關(guān)鍵一步，盡管目前尚未達到峰值性能。

ASML的High-NA EUV曝光機將提供0.55數值孔徑的投影光學(xué)器件，單次曝光分辨率可低至8nm，比單次曝光13.5nm分辨率的典型Low-NA EUV的分辨率更高。目前第一套High-NA EUV系統安裝在在A(yíng)SML荷蘭Veldhoven實(shí)驗室，第二套系統則正在英特爾的俄勒岡州晶圓廠(chǎng)組裝。

ASML發(fā)言人Marc Assinck解釋?zhuān)瑥募夹g(shù)上講，這種“第一束光”實(shí)際上是“晶圓上第一束光”，表示光源已經(jīng)開(kāi)始工作，現在我們在晶圓上測試對于光子的“抗蝕”。ASML專(zhuān)家仍在荷蘭校準High NA EUV系統，因此該機器尚未列印出第一個(gè)測試圖案。

報道稱(chēng)，英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher在加利福尼亞州圣何塞舉行的SPIE曝光會(huì )議上首度透露這一進(jìn)展，預計這些新系統將主要用于制程開(kāi)發(fā)。

這個(gè)里程碑被稱(chēng)為“硅片上的第一道曙光”，標志著(zhù)ASML和英特爾在推進(jìn)半導體制造技術(shù)邁出重要一步，預計未來(lái)幾年，包括英特爾、臺積電和三星在內的領(lǐng)先芯片制造商都將采用High NA EUV光刻技術(shù)，英特爾已表示將在Intel 14A制程采用該設備。

編輯：芯智訊-浪客劍