DRAMeXchange：未來(lái)三年內存價(jià)格將持續攀升

　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內將持續走高。這家市場(chǎng)分析公司將內存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表 示，2001-2003年，內存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們 預計從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。

　　不過(guò)內存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般需要購買(mǎi)昂貴的沉浸式光刻設備。而除了內存業(yè)者以外，其它半導體廠(chǎng)商如臺積電/聯(lián)電燈公司也需要采購這類(lèi)新設備。目前在沉浸式光刻機市場(chǎng)上占據老大地位的是ASML公司，這家公司的產(chǎn)品占到了同類(lèi)產(chǎn)品市場(chǎng)的90%份額。在這種情況之下，沉浸式光刻機的供貨期將大大延長(cháng)，而這則會(huì )使內存業(yè)者試圖提升制程的計劃放緩。