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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 光刻

光刻巨頭ASML四季度來(lái)首次盈利

  •   隨著(zhù)芯片廠(chǎng)商設備訂單的恢復,歐洲最大的半導體設備制造商ASML報出了2930萬(wàn)美元的凈利潤,為四個(gè)季度來(lái)首次盈利。   ASML在今天的聲明中表示該公司第三季度凈利潤為1970萬(wàn)歐元(2930萬(wàn)美元),即每股5歐分,低于去年同期7330萬(wàn)歐元的利潤水平。不過(guò)這超過(guò)了彭博社調查7位分析師所得出的1060萬(wàn)歐元的市場(chǎng)預期。   該公司首席執行官埃里克·莫里斯(EricMeurice)表示,ASML的設備可以讓芯片客戶(hù)生產(chǎn)出尺寸更小的芯片,隨著(zhù)客戶(hù)在設備投資上恢復投入,該公司本季度銷(xiāo)售額將
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Mapper Lithography獲資助 大力開(kāi)發(fā)無(wú)掩模光刻設備

  •   半導體設備供應商Mapper Lithography BV公司日前獲得荷蘭經(jīng)濟事務(wù)部名為SenterNoven的機構達1000萬(wàn)歐元(合1470萬(wàn)美元)的補貼。   Mapper公司將利用此筆資金開(kāi)發(fā)試用版設備。公司表示目前正在設計一款無(wú)掩模光刻設備的開(kāi)發(fā)。這款設備將含有超過(guò)10000道平行電子束,從而將會(huì )在晶圓上直接形成圖樣,降低普通光刻設備上由于采用掩模版而帶來(lái)的高昂成本。   Mapper將聯(lián)合股東各方Catena,Technolution,Multin Hittech,Demcon,Del
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生存在矛盾之中

  •   在全球金融危機影響下,由于市場(chǎng)的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣,向來(lái)紅火的半導體業(yè)也感覺(jué)壓力深重。在探討未來(lái)如何發(fā)展之中,發(fā)現各種矛盾叢生,似乎很難作出決斷。   投入多產(chǎn)出少,能持久嗎?   SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展的幾點(diǎn)看法,認為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口,未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節,也即每年投資巨大, 然而由于A(yíng)SP下降導致銷(xiāo)售額沒(méi)有相應的增大,利潤越來(lái)越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠(chǎng)商對于建新廠(chǎng)已逐漸
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消息稱(chēng)Canon步進(jìn)光刻部門(mén)將裁員700人

  •   有消息稱(chēng),日本Canon計劃裁去步進(jìn)式光刻部門(mén)的700名員工。   這些職位多數都在日本,其中一些員工將轉至Canon其他部門(mén),據悉700名員工約占步進(jìn)光刻部門(mén)的30%。   Canon是全球第三的步進(jìn)光刻設備供應商,排在A(yíng)SML和Nikon之后,市場(chǎng)份額約為11%。   市場(chǎng)研究公司Gartner預測,2009年步進(jìn)光刻市場(chǎng)將是艱難的一年,市場(chǎng)銷(xiāo)售額預計將減少54%。   Canon預計2012年之前,步進(jìn)光刻部門(mén)不會(huì )盈利。
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光刻儀公司延期交貨 臺積電制程研發(fā)恐受影響

  •   據報道,臺積電的光刻儀供應商Mapper公司已經(jīng)將300mm光刻設備交貨日延期近三個(gè)月之久。Mapper的多束e-beam光刻儀原計劃于今年第一 季度裝備臺積電300mm工廠(chǎng),不過(guò)由于技術(shù)上的原因Mapper公司拖延了交貨日期,此舉可能對臺積電的制程研發(fā)進(jìn)度造成一定的影響。   臺積電CEO蔡力行曾稱(chēng)臺積電已在與合作伙伴聯(lián)合開(kāi)發(fā)22nm及更高規格制程用多束e-beam光刻技術(shù)(multiple electron-beam (e-beam) maskless lithography equip
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ASML的上半年訂單落空 預期下半年有望回復

  •   按全球第一大光刻設備供應商ASML公司的預估,其Q1的銷(xiāo)售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元,而去年同期為9.19億歐元,下降達80%。   ASML預計Q2的銷(xiāo)售額在2.1-2.3億歐元間,因為受工藝制程的進(jìn)一步縮小推動(dòng),產(chǎn)業(yè)可能會(huì )在今年下半年開(kāi)始復蘇,訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會(huì )要求購買(mǎi)新的或者升級現有的設備。   如08年僅只有各領(lǐng)域的領(lǐng)先者在購買(mǎi)設備,主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶(hù)。預計2009年會(huì )加速工藝制
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2009年中國國際半導體技術(shù)研討會(huì )成功在上海舉辦

  •   由SEMI、ECS及中國高科技專(zhuān)家組共同舉辦的中國國際半導體技術(shù)研討會(huì )成功于3月19-20日在上海召開(kāi)。諾貝爾物理學(xué)獎得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel資深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge為大會(huì )作主題演講,為550名與會(huì )的國內外半導體產(chǎn)業(yè)界人士介紹國際最前沿的納米技術(shù)、微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢。本次研討會(huì )的成功召開(kāi)為提升中國半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平,將國際最先進(jìn)的技術(shù)與理念引進(jìn)中國起到了積極的推動(dòng)
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賽斯純氣體公司宣布在中國引入對光刻設備檢驗的微污染物檢驗服務(wù)

  •   賽斯純氣體有限公司作為一家氣體凈化技術(shù)設備的世界領(lǐng)導者和供應商日前在2009年國際半導體設備與材料展覽會(huì )上, 正式宣布引入微污染物檢驗服務(wù)和CollectTorr取樣系統, 用于對在中國的光刻和測量設備提供檢驗。
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世界最大光刻設備企業(yè)阿斯麥將裁員10%

  •   世界最大的光刻設備制造商阿斯麥(ASML)18日宣布,由于全球經(jīng)濟下滑,芯片制造設備需求銳減,該公司計劃在半年內裁員1000人,占全球員工總數10%以上。   總部位于荷蘭南部城市費爾德霍芬的阿斯麥公司當天發(fā)布聲明說(shuō),裁員計劃主要涉及總部和美國的部分生產(chǎn)廠(chǎng),此外美國的一個(gè)培訓中心將關(guān)閉。裁減對象將主要為臨時(shí)工。   阿斯麥總裁埃里克·穆里斯說(shuō),受半導體產(chǎn)品需求下降、存儲器價(jià)格低迷和客戶(hù)資金周轉困難的三重夾擊,近一段時(shí)間國際市場(chǎng)光刻設備需求銳減,“其跌速和跌幅前所未有&rd
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IC業(yè)在拐點(diǎn)生存

  • 分析了IC業(yè)的眾多特點(diǎn),例如從90nm向65nm、45nm、32nm、22nm等拐點(diǎn)演進(jìn)的困難,以及ESL、DFM拐點(diǎn),制造是設計的拐點(diǎn),FPGA與ASIC之間的拐點(diǎn)等熱門(mén)問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字: EDA  65nm  45nm  22nm  光刻  處理器  FPGA  ASIC  200808  

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  •   對于極紫外(EUV)光刻技術(shù)而言,掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝,而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線(xiàn)具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預處理和清洗會(huì )議上,針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內部討論,并在會(huì )上向與會(huì )的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
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道康寧電子部推出XR-1541電子束光刻膠

  •   全球材料、應用技術(shù)及服務(wù)綜合供應商美國道康寧公司電子部(Dow Corning Electronics)的硅晶片光刻解決方案事業(yè)部今日宣布正式開(kāi)始供應Dow Corning® XR-1541電子束光刻膠,該產(chǎn)品是專(zhuān)為實(shí)現下一代、直寫(xiě)光刻工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)所設計。這一新型先進(jìn)的旋涂式光刻膠產(chǎn)品系列是以電子束(electron beam)取代傳統光源產(chǎn)生微影圖案,可提供圖形定義小至6納米的無(wú)掩模光刻技術(shù)能力。   可用于各種高純度、半導體等級配方的XR-1541電子束光刻膠,是由甲基異丁基酮(meth
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光刻介紹

光刻   利用照相復制與化學(xué)腐蝕相結合的技術(shù),在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知,但長(cháng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代,美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái),并開(kāi)始用在半導體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關(guān)鍵工藝之一,并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細 ]

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