僅次于光刻、我國半導體制造核心技術(shù)突破，核力創(chuàng )芯首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品交付

9 月 11 日消息，據國家電力投資集團有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國家電投”）9 月 10 日消息，近日，國家電投所屬?lài)娡逗肆?chuàng )芯（無(wú)錫）科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“核力創(chuàng )芯”）暨國家原子能機構核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶(hù)交付。

國家電投表示，這標志著(zhù)我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補全了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎。

據國家電投介紹，氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類(lèi)型半導體產(chǎn)品制造過(guò)程中起著(zhù)關(guān)鍵作用，該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是 600V 以上高壓功率芯片長(cháng)期依賴(lài)進(jìn)口。核力創(chuàng )芯的技術(shù)突破，打破了國外壟斷。

核力創(chuàng )芯在不到三年的時(shí)間里，突破多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘，實(shí)現了 100% 自主技術(shù)和 100% 裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個(gè)核技術(shù)應用和半導體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近萬(wàn)小時(shí)的工藝及可靠性測試驗證，主要技術(shù)指標達到國際先進(jìn)水平，獲得用戶(hù)高度評價(jià)。

查詢(xún)獲悉，國電投核力創(chuàng )芯（無(wú)錫）科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日，注冊地位于江蘇省無(wú)錫市，注冊資本 7022.63 萬(wàn)元。

來(lái)源：集微網(wǎng)

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