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光刻機
光刻機 文章 進(jìn)入光刻機技術(shù)社區
俄羅斯計劃開(kāi)發(fā)本土光刻機等芯片制造工具
- 據外媒報道，近日，俄羅斯政府已撥款超過(guò)2400億盧布（約合人民幣175億元）支持國產(chǎn)半導體制造所需設備、CAD工具及原材料研發(fā)，目標是到2030年實(shí)現對于國外約70%的半導體設備和材料的國產(chǎn)替代。該計劃已經(jīng)啟動(dòng)了41個(gè)研發(fā)項目，并計劃在未來(lái)幾年內再啟動(dòng)43個(gè)新項目，共計110個(gè)研發(fā)項目。這些項目將覆蓋從180nm到28nm的微電子、微波電子、光子學(xué)和電力電子等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域，為俄羅斯微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定堅實(shí)基礎。據悉，該計劃由俄羅斯工業(yè)部、貿易部、俄羅斯國際科學(xué)技術(shù)中心 （ISTC）MIET 電子工程部制定
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中國廠(chǎng)商貢獻50%銷(xiāo)售：光刻機廠(chǎng)商ASML被美國壓制 無(wú)法獨善其身
- 9月2日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，在美國要求下，ASML明年可能無(wú)法為中國廠(chǎng)商維修光刻機。報道中提到，在A(yíng)SML某些在中國提供服務(wù)和備件的許可證于今年年底到期后，現在的荷蘭首相很可能不再為其續期，而相關(guān)決定是在美國施加一定壓力后做出的。目前的情況是，ASML的銷(xiāo)售額中，約有一半來(lái)自中國。荷蘭新任首相也公開(kāi)表示，上述規則變動(dòng)會(huì )非常謹慎，因為這會(huì )影響光刻機巨頭阿斯麥（ASML）的經(jīng)濟利益這位新的首相直言：“我們正進(jìn)行良好的談判。我們也正特別關(guān)注阿斯麥的經(jīng)濟利益，這些利益需要與其他風(fēng)險權衡，而經(jīng)濟利益是極其重要的
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話(huà)會(huì )議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著(zhù)提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現2nm以下先進(jìn)制程大規模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠(chǎng)，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠(chǎng)
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話(huà)會(huì )議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺大型設備，安裝時(shí)間需要數月，預計可帶來(lái)新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺High NA設備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠(chǎng)房。由于英特爾財報會(huì )議后股價(jià)表現不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺的收入。不過(guò)
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臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報》昨日報道稱(chēng)，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營(yíng)運資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運長(cháng)張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來(lái)制程節點(diǎn)的成本效益與可擴展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價(jià)值達 3.8
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中國大陸仍是ASML光刻機最大買(mǎi)家 占全球總銷(xiāo)售額49％
- 全球光刻機大廠(chǎng)ASML近日發(fā)布2024年第2季度財報，實(shí)現凈銷(xiāo)售額62.4億歐元，同比下滑約7.6%，同比增長(cháng)約18%，居于官方預測中間值。雖然半導體設備出口限制規定生效造成影響，但中國大陸需求持續旺盛，依然是ASML的第一大銷(xiāo)售市場(chǎng)，市占比依然高達49%，主要項目仍在未受限的DUV設備。 ASML總裁兼首席執行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示，正如此前幾個(gè)季度，半導體行業(yè)的整體庫存水平持續得到改善。無(wú)論是邏輯芯片還是存儲芯片客戶(hù)，對光刻設備的利用率都在進(jìn)一步提高。宏觀(guān)環(huán)境為主的不確定
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國產(chǎn)廠(chǎng)商引入首臺光刻機設備！
- 據寧波前灣新區管理委員會(huì )7月15日消息，近日寧波冠石半導體有限公司迎來(lái)關(guān)鍵節點(diǎn)，引入首臺電子束掩模版光刻機。據悉，該設備是光掩模版40nm技術(shù)節點(diǎn)量產(chǎn)及28nm技術(shù)節點(diǎn)研發(fā)的重點(diǎn)設備。光掩模版是集成電路制造過(guò)程中光刻工藝所使用的關(guān)鍵部件，類(lèi)似于相機“底片”，光線(xiàn)經(jīng)過(guò)掩膜版后，可在晶圓表面曝光形成電路圖形。目前，我國高精度半導體光掩模版產(chǎn)品主要仍依賴(lài)于進(jìn)口，國產(chǎn)化率極低。據了解，冠石半導體主要從事45nm~28nm半導體光掩模版的規?；a(chǎn)。當前，冠石半導體一期潔凈車(chē)間設計產(chǎn)能為月產(chǎn)5000片180nm~2
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為什么說(shuō)佳能是「明智」的光刻機出貨商？
- 與從「器材之王」跌落的尼康有何區別？
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ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻機
- 日前，日本三井化學(xué)宣布將在其巖國大竹工廠(chǎng)設立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)始量產(chǎn)半導體最尖端光刻機的零部件產(chǎn)品（保護半導體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品）。據悉，此種CNT薄膜可以實(shí)現92%以上的高EUV透射率和超過(guò)1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預期年產(chǎn)能力為5000張，生產(chǎn)線(xiàn)預計于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時(shí)正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實(shí)現1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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0.75 NA 突破芯片設計極限！Hyper-NA EUV 首現 ASML 路線(xiàn)圖：2030 年推出，每小時(shí)產(chǎn) 400-500 片晶圓
- IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機構 imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機，目前仍處于開(kāi)發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時(shí)安特衛普（Antwerp）召開(kāi)、由 imec 舉辦 ITF World 活動(dòng)中，表示：“從長(cháng)遠來(lái)看，我們需要改進(jìn)光刻系統，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時(shí)，我們必須將所有系統的生產(chǎn)率提高到每小時(shí) 400 到 500 片晶圓”
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美國芯片管控引ASML吐槽：倒逼中國廠(chǎng)商造出更先進(jìn)光刻機
- 快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公開(kāi)表示，美國嚴厲的芯片管控規定，只會(huì )倒逼中國廠(chǎng)商進(jìn)步更快。ASML CEO表示，多年來(lái)，公司都不用擔心設備的去向會(huì )受到政治限制，但突然之間，這卻變成了全世界最重要的話(huà)題之一。過(guò)去一段時(shí)間，美國一直在向荷蘭施壓，以阻止中國獲得關(guān)鍵的半導體技術(shù)。去年，荷蘭政府宣布了新的半導體設備出口管制措施，主要針對先進(jìn)制程的芯片制造技術(shù)，阿斯麥首當其沖。根據ASML今年1月1日發(fā)布的聲明，荷蘭政府撤銷(xiāo)的是2023年頒發(fā)的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統的出口許可證
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ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？
- ASML首席財務(wù)官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線(xiàn)發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線(xiàn)前景不明。積極尋求突破的中國廠(chǎng)商是持續投入資源突破現有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據《芯智訊》報導，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開(kāi)始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設備訂單。ASML預測其設備的市場(chǎng)需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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