ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠(chǎng)

英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話(huà)會(huì )議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺大型設備，安裝時(shí)間需要數月，預計可帶來(lái)新一代更強大的電腦英文。

Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺High NA設備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠(chǎng)房。

由于英特爾財報會(huì )議后股價(jià)表現不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。

ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺的收入。不過(guò)，客戶(hù)何時(shí)采用仍存在一些疑問(wèn)。

ASML已獲得十多臺High NA機器的訂單，客戶(hù)包括臺積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。英特爾計劃2027年前將此技術(shù)用于量產(chǎn)，臺積電也將于今年收到設備，但還沒(méi)透露何時(shí)投入生產(chǎn)。

ASML CEO Christophe Fouquet于7月17日表示，DRAM存儲器英文制造商，這可能意指三星、SK海力士或美光，可能2025或2026年開(kāi)始使用High NA設備。