ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì )面臨中國公司的競爭！

6月6日消息，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話(huà)會(huì )議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第二季度或第三季度開(kāi)始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設備訂單。同時(shí)，Jefferies報告稱(chēng)臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機。

該消息推動(dòng)ASML股價(jià)大漲9.52%，收盤(pán)股價(jià)1041.34美元，創(chuàng )下歷史新高，總市值突破4096.86億美元，成為了歐洲第二大市值的上市公司。

Jefferies的報告指出，ASML預測其設備的市場(chǎng)需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國政府推動(dòng)的芯片制造本地化策略，通過(guò)補貼當地的晶圓廠(chǎng)建設，以提升自身的芯片制造能力。

雖然2024年第一季度，ASML實(shí)現凈銷(xiāo)售額52.90億歐元，同比下降21%。但是Jefferies證券認為，ASML 2024年二季度到四季度的平均訂單額可能會(huì )達到57億歐元左右，有望推動(dòng)其2025年營(yíng)收上探至400億歐元。ASML此前就曾將其2025年營(yíng)收目標設定在300~400億歐元。

Jefferies證券的報告還預測，臺積電預計將在2024年某個(gè)時(shí)候就會(huì )收到ASML最新的High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機。

ASML的標準EUV光刻機可以打印13.5nm的線(xiàn)寬，而新的High NA EUV光刻機則是可以通過(guò)打印8nm線(xiàn)寬來(lái)創(chuàng )建更小的晶體管，即可以用于2nm以下的制程工藝制造，并且晶圓生產(chǎn)速度已經(jīng)達到了每小時(shí)400至500片晶圓，是當前標準EUV每小時(shí)200片晶圓的2-2.5倍的速度。不過(guò)，High NA EUV光刻機的價(jià)格也是相當的昂貴，一臺要價(jià)超過(guò)3.5億歐元。

臺積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總裁張曉強（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹舉行的一場(chǎng)會(huì )議上就曾公開(kāi)表示，ASML High NA EUV訂價(jià)太過(guò)高昂，臺積電預計于2026年下半量產(chǎn)的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻機。他說(shuō)，這要看公司能取得的最佳經(jīng)濟與技術(shù)平衡而定，A16制程或許會(huì )采用、但不確定?！拔蚁矚g這項技術(shù)、但不喜歡高昂的價(jià)格?！?/p>

目前最為積極引入High NA EUV光刻機則是英特爾，其是第一家訂購并完成交付安裝的晶圓制造商，目前英特爾已經(jīng)開(kāi)始在其美國俄勒岡州最先進(jìn)的技術(shù)開(kāi)發(fā)基地將High NA EUV光刻機用于其Intel 18A工藝的測試，以積累相關(guān)經(jīng)驗，后續將會(huì )被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

有報道稱(chēng)，ASML已接獲數十臺High NA EUV光刻機的訂單，其中大部分被英特爾預定，此外三星、臺積電、SK海力士、美光也有訂購。

對于A(yíng)SML所面臨的潛在競爭問(wèn)題，Jefferies證券的報告稱(chēng)，由于技術(shù)本身和生態(tài)系統的復雜性，ASML 認為“在可預見(jiàn)的未來(lái)”，其在 EUV 技術(shù)領(lǐng)域不會(huì )面臨來(lái)自中國光刻設備公司 SMEE或HW的競爭。

根據資料顯示，ASML先進(jìn)的標準型EUV光刻機就擁有超過(guò)10萬(wàn)個(gè)零件，涉及到上游5000多家供應商。這些零部件極為復雜，對誤差和穩定性的要求極高，并且這些零件幾乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先進(jìn)技術(shù)，85%的零部件是和供應鏈共同研發(fā)，甚至一些接口都要工程師用高精度機械進(jìn)行打磨，尺寸調整次數更可能高達百萬(wàn)次以上。

可以說(shuō)，EUV光刻機已經(jīng)是所有半導體制造設備中技術(shù)含量最高的設備，其中包括上萬(wàn)種精密零部件，而且結合了光學(xué)、流體力學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器、自動(dòng)化、高分子物理與化學(xué)、軟件、機械、圖像識別等多個(gè)領(lǐng)域的尖端知識。目前全世界沒(méi)有一家企業(yè)，甚至可以說(shuō)沒(méi)有一個(gè)國家可以獨立完成EUV光刻機的完整制造。

相對于標準的0.33 NA（數值孔徑） EUV光刻機來(lái)說(shuō)，配備0.55 NA透鏡的High NA EUV光刻機技術(shù)含量更高，系統設計也更為復雜。比如High NA EUV光刻機會(huì )比現有的EUV光刻機更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因為光源問(wèn)題，ASML甚至還使用液冷銅線(xiàn)為其供電。High NA EUV光刻機其各類(lèi)組件需要250個(gè)單獨的板條箱中運輸，其中包括13 個(gè)大型集裝箱，組裝后的High-NA EUV光刻機將比雙層卡車(chē)還要大。

目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻機供應商，雖然老牌的光刻機廠(chǎng)商——日本的尼康和佳能仍在發(fā)展光刻機業(yè)務(wù)，但是也僅止步于DUV，在EUV方面依然是無(wú)能為力。

不過(guò)，目前High NA EUV光刻機的發(fā)展已經(jīng)接近當前技術(shù)的極限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機理論上是可以實(shí)現，但是會(huì )面臨更多更復雜的技術(shù)問(wèn)題，同時(shí)成本也更為驚人。

ASML的前首席技術(shù)官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能將是最后一個(gè)NA，而且不一定能真正投入生產(chǎn)，這意味經(jīng)過(guò)數十年的光刻技術(shù)創(chuàng )新，我們可能會(huì )走到當前半導體光刻技術(shù)之路的盡頭。即使Hyper NA能夠實(shí)現，但是如果采用Hyper NA技術(shù)的制造成本增長(cháng)速度和目前High NA EUV技術(shù)一樣，那么經(jīng)濟層面幾乎是不可行的。

顯然，在A(yíng)SML現有光刻機技術(shù)路線(xiàn)即將走向盡頭的背景之下，對于中國廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)在現有技術(shù)路線(xiàn)對于A(yíng)SML之間的差距可能將不會(huì )繼續加速擴大，這有利于廠(chǎng)商的技術(shù)追趕。

但是在EUV技術(shù)路線(xiàn)發(fā)展受歐美限制，且該技術(shù)路線(xiàn)前景灰暗的情況下，中國廠(chǎng)商是持續投入資源突破現有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨，還是考慮投入資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？比如佳能去年就推出了面向先進(jìn)制程制造的納米壓印設備，但該技術(shù)路線(xiàn)能否成功還有待市場(chǎng)檢驗。

編輯：芯智訊-浪客劍