臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時(shí)間未定

IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報》昨日報道稱(chēng)，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。

對此，臺積電海外營(yíng)運資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運長(cháng)張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來(lái)制程節點(diǎn)的成本效益與可擴展性，目前采用時(shí)間未定。

▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML

上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價(jià)值達 3.8 億美元（IT之家備注：當前約 27.6 億元人民幣）。

▲ 開(kāi)放式、完全組裝的 TWINSCAN EXE:5000

在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特爾開(kāi)始交付全球首臺 High NA EUV 光刻機 TWINSCAN EXE:5000 的首批模塊，并已于今年 4 月 18 日完成組裝。

ASML 表示，這臺光刻機重量高達 150 噸，相當于兩架空中客車(chē) A320 客機，全套系統需要 43 個(gè)貨運集裝箱內的 250 個(gè)貨箱來(lái)裝運，一開(kāi)始預計需要 250 名工程人員、歷時(shí) 6 個(gè)月才能完成安裝。

▲ 蔡司進(jìn)行 High NA EUV 鏡測試

資料顯示，ASML 的第一代 High NA EUV（EXE:5000）分辨率達 8nm，可以實(shí)現比現有 EUV 光刻機小 1.7 倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能夠簡(jiǎn)化其制造流程。據介紹，EXE:5000 每小時(shí)可印刻 185 個(gè)以上的晶圓，而且 ASML 還制定了到 2025 年提高到每小時(shí) 220 片晶圓的計劃。

也就是說(shuō)，ASML 第一代 High NA EUV 并不是專(zhuān)門(mén)用于芯片量產(chǎn)的機型，而是用于尖端工藝的開(kāi)發(fā)和驗證；其第二代 High NA EUV 光刻機才是主要面向于尖端制程量產(chǎn)的光刻系統。值得一提的是，英特爾此前已宣布將率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系統。