0.75 NA 突破芯片設計極限!Hyper-NA EUV 首現 ASML 路線(xiàn)圖:2030 年推出,每小時(shí)產(chǎn) 400-500 片晶圓
IT之家 6 月 14 日消息,全球研發(fā)機構 imec 表示阿斯麥(ASML)計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機,目前仍處于開(kāi)發(fā)的“早期階段”。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202406/459913.htm阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克(Martin van den Brink)于今年 5 月,在比利時(shí)安特衛普(Antwerp)召開(kāi)、由 imec 舉辦 ITF World 活動(dòng)中,表示:“從長(cháng)遠來(lái)看,我們需要改進(jìn)光刻系統,因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時(shí),我們必須將所有系統的生產(chǎn)率提高到每小時(shí) 400 到 500 片晶圓”。
High-NA 將數值孔徑 (NA) 從早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根據 van den Brink 在 imec 活動(dòng)上展示的圖片,該公司將在 2030 年左右提供 Hyper-NA,達到 0.75 NA。
Imec 高級圖案設計項目總監 Kurt Ronse 表示,這是 ASML 首次將 Hyper-NA EUV 加入其路線(xiàn)圖,他與 ASML 合作開(kāi)發(fā)光刻技術(shù)已有 30 多年。IT之家附上相關(guān)圖片如下:
Ronse 表示現階段想要突破 0.55 NA 面臨諸多挑戰,其中問(wèn)題之一是光偏振。
Ronse 表示:“NA 一旦超過(guò) 0.55,由于偏振方向基本上會(huì )抵消光線(xiàn),因此會(huì )破壞對比度”。
解決方案之一就是在光刻設備中加入偏振片,而這又會(huì )帶來(lái)新的問(wèn)題,偏振片會(huì )阻擋光線(xiàn),降低能效,增加生產(chǎn)成本。
Hyper-NA 的另一個(gè)挑戰是電阻。
Ronse 表示:“在 0.55 NA 的情況下,我們就必須降低電阻。有了 Hyper-NA,情況會(huì )更糟。這將給蝕刻選擇性帶來(lái)更多挑戰”。
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