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光刻機 文章 進(jìn)入光刻機技術(shù)社區
三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻機
- 日前，日本三井化學(xué)宣布將在其巖國大竹工廠(chǎng)設立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)始量產(chǎn)半導體最尖端光刻機的零部件產(chǎn)品（保護半導體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品）。據悉，此種CNT薄膜可以實(shí)現92%以上的高EUV透射率和超過(guò)1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預期年產(chǎn)能力為5000張，生產(chǎn)線(xiàn)預計于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時(shí)正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實(shí)現1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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0.75 NA 突破芯片設計極限！Hyper-NA EUV 首現 ASML 路線(xiàn)圖：2030 年推出，每小時(shí)產(chǎn) 400-500 片晶圓
- IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機構 imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機，目前仍處于開(kāi)發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時(shí)安特衛普（Antwerp）召開(kāi)、由 imec 舉辦 ITF World 活動(dòng)中，表示：“從長(cháng)遠來(lái)看，我們需要改進(jìn)光刻系統，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時(shí)，我們必須將所有系統的生產(chǎn)率提高到每小時(shí) 400 到 500 片晶圓”
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美國芯片管控引ASML吐槽：倒逼中國廠(chǎng)商造出更先進(jìn)光刻機
- 快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公開(kāi)表示，美國嚴厲的芯片管控規定，只會(huì )倒逼中國廠(chǎng)商進(jìn)步更快。ASML CEO表示，多年來(lái)，公司都不用擔心設備的去向會(huì )受到政治限制，但突然之間，這卻變成了全世界最重要的話(huà)題之一。過(guò)去一段時(shí)間，美國一直在向荷蘭施壓，以阻止中國獲得關(guān)鍵的半導體技術(shù)。去年，荷蘭政府宣布了新的半導體設備出口管制措施，主要針對先進(jìn)制程的芯片制造技術(shù)，阿斯麥首當其沖。根據ASML今年1月1日發(fā)布的聲明，荷蘭政府撤銷(xiāo)的是2023年頒發(fā)的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統的出口許可證
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ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？
- ASML首席財務(wù)官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線(xiàn)發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線(xiàn)前景不明。積極尋求突破的中國廠(chǎng)商是持續投入資源突破現有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據《芯智訊》報導，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開(kāi)始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設備訂單。ASML預測其設備的市場(chǎng)需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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臺積電今年將拿到最新款光刻機
- 6月6日消息，據外媒報道稱(chēng)，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機，單臺造價(jià)達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話(huà)會(huì )議上告訴分析師，公司兩大客戶(hù)臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠(chǎng)。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶(hù)臺積電何時(shí)會(huì )收到設備。據悉，這些機器每臺造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車(chē)A
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EUV光刻機“忙瘋了”
- 據市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設備必然無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當地時(shí)間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營(yíng)。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
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ASML今年將向臺積電交付最新款光刻機 單價(jià)3.8億美元
- 6月6日消息，荷蘭光刻機制造商ASML今年將向臺積電交付其最新款光刻機。據公司發(fā)言人莫尼克·莫爾斯（Monique Mols）透露，首席財務(wù)官羅杰·達森（Roger Dassen）在近期的分析師電話(huà)會(huì )議中表示，包括臺積電和英特爾在內的ASML兩大客戶(hù)都將在今年年底前拿到高數值孔徑極紫外線(xiàn)（high-NA EUV）光刻機。英特爾已經(jīng)下單購買(mǎi)了這款最新的光刻機，并于去年12月底將第一臺機器運至其位于俄勒岡州的工廠(chǎng)。目前尚不清楚臺積電何時(shí)會(huì )收到這些設備。臺積電代表表示，公司一直與供應商保持密切合作，但拒絕對此事
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臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
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350nm，俄羅斯光刻機制造完成
- 5月25日消息，據外媒報道稱(chēng)，俄羅斯首臺光刻機已經(jīng)制造完成并正在進(jìn)行測試。俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿易部副部長(cháng)瓦西里-什帕克指出，該設備可確保生產(chǎn)350nm（0.35μm）的芯片。圖片來(lái)源：塔斯社報道截圖公開(kāi)資料顯示，350納米尺寸芯片在當代較為落后，但是仍然可以應用于汽車(chē)、能源和電信等多個(gè)行業(yè)。該光刻機的研制成功對于俄羅斯未來(lái)實(shí)現自主生產(chǎn)芯片具有里程碑意義。圖片來(lái)源：全球半導體觀(guān)察制圖目前，全球光刻機的主要玩家依舊以ASML、尼康、佳能三家為主。據外媒公開(kāi)消息，俄羅斯目前主有兩家主要的晶圓廠(chǎng)，分別是Mikron
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俄羅斯首臺光刻機問(wèn)世
- 據外媒報道，目前，俄羅斯首臺光刻機已經(jīng)制造完成并正在進(jìn)行測試。俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿易部副部長(cháng)瓦西里-什帕克（Vasily Shpak）表示，已組裝并制造了第一臺國產(chǎn)光刻機，作為澤廖諾格勒技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)的一部分，目前正在對其進(jìn)行測試，該設備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國產(chǎn)光刻機，下一步將是開(kāi)發(fā)90nm光刻機，并繼續向下邁進(jìn)。此前，俄羅斯曾表示，計劃到2026年實(shí)現65nm的芯片節點(diǎn)工藝，2027年實(shí)現28nm本土芯片制造，到2030年實(shí)現14nm國產(chǎn)芯片制造。
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英特爾宣布世界首臺商用 High NA EUV 光刻機完成組裝，計劃明年投入研發(fā)使用
- IT之家 4 月 19 日消息，英特爾今日宣布其已在位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發(fā)晶圓廠(chǎng)完成世界首臺商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻機的組裝工作，目前已進(jìn)入光學(xué)系統校準階段?！?圖源英特爾新聞稿這臺光刻機型號 TWINSCAN EXE:5000，為 ASML 的首代 High NA EUV 光刻機，價(jià)值約 3.5 億美元（IT之家備注：當前約 25.38 億元人民幣）。就在不久前 ASML 宣布其在荷蘭埃因霍溫總部的另一臺 High NA EUV 光刻機成功
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美國施壓不準向中國提供光刻機維修服務(wù)！ASML再回應
- 4月19日消息，光刻機制造商ASML的CEO公開(kāi)表示，沒(méi)有理由不為中國客戶(hù)提供售后服務(wù)。荷蘭芯片設備制造商阿斯麥（ASML）周三發(fā)布的財報顯示，第一季度凈預訂量從去年第四季度的92億歐元降至36億歐元。阿斯麥首席財務(wù)官達森稱(chēng)，中國客戶(hù)約占公司積壓訂單的20%?！爸袊男枨蠛軓妱?。其產(chǎn)能增加是合理的，并且符合本世紀后半段的全球需求?！薄澳壳?，沒(méi)有什么能阻止我們?yōu)橹袊蛻?hù)已經(jīng)購買(mǎi)的產(chǎn)品提供服務(wù)”，溫寧克稱(chēng)。外媒表示，阿斯麥是歐洲市值最高的科技公司，而它現在已經(jīng)成為美國政府用以遏制中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的靶子。近日，
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阿斯麥向客戶(hù)交付第二臺 High NA EUV 光刻機，買(mǎi)家身份成謎
- IT之家 4 月 18 日消息，荷蘭半導體設備制造商阿斯麥（ASML）近日向一家未披露名稱(chēng)的公司交付了其第二臺高數值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 光刻機。這臺高端光刻機旨在制造比當前低 NA EUV 設備所能制造的更高密度的芯片。據路透社報道，第二臺高端光刻機的出貨意味著(zhù)這一最新技術(shù)正逐漸被采用。然而，ASML 對買(mǎi)家身份諱莫如深，只能猜測其身份，路透社指出英特爾、臺積電和三星都是潛在客戶(hù)。事實(shí)上，英特爾已經(jīng)購買(mǎi)了首臺高數值孔徑 EUV 光刻機，用于其即將推出的 14A 制程節點(diǎn)。正如 A
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