英特爾宣布世界首臺商用 High NA EUV 光刻機完成組裝，計劃明年投入研發(fā)使用

IT之家 4 月 19 日消息，英特爾今日宣布其已在位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發(fā)晶圓廠(chǎng)完成世界首臺商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻機的組裝工作，目前已進(jìn)入光學(xué)系統校準階段。

▲ 圖源英特爾新聞稿

這臺光刻機型號 TWINSCAN EXE:5000，為 ASML 的首代 High NA EUV 光刻機，價(jià)值約 3.5 億美元（IT之家備注：當前約 25.38 億元人民幣）。

就在不久前 ASML 宣布其在荷蘭埃因霍溫總部的另一臺 High NA EUV 光刻機成功繪制了 10nm 線(xiàn)寬的密集線(xiàn)圖案。

英特爾表示 High-NA EUV 光刻機可擁有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻機的一維密度，這意味著(zhù)在二維尺度上可實(shí)現 190% 的密度提升。

采用 High-NA EUV 光刻機，可以更精細的尺度制造生產(chǎn)半導體，繼續推動(dòng)摩爾定律。

英特爾計劃從 2025 年的 18A 新技術(shù)驗證節點(diǎn)開(kāi)始，在先進(jìn)芯片開(kāi)發(fā)和制造中同時(shí)使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻機。

此外英特爾還計劃購買(mǎi)下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻機，新機型晶圓吞吐量超過(guò)每小時(shí) 200 片。

不過(guò)根據IT之家此前報道，ASML 在 2021 年時(shí)對后 EXE:5000 產(chǎn)品的稱(chēng)呼是 EXE:5200。暫不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名還是改進(jìn)型號。