ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，實(shí)現8nm線(xiàn)寬打印

5月30日消息，光刻機大廠(chǎng)ASML在imec（比利時(shí)微電子研究中心）的ITF World 2024會(huì )議上宣布，其首款High-NA EUV光刻機已創(chuàng )下新的晶圓制造速度記錄，超過(guò)了兩個(gè)月前創(chuàng )下的記錄。

根據ASML前總裁兼首席技術(shù)官、現任公司顧問(wèn)的Martin van den Brink的說(shuō)法，新的High NA EUV光刻機晶圓生產(chǎn)速度達到了每小時(shí)400至500片晶圓，是當前標準EUV每小時(shí)200片晶圓的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，將進(jìn)一步提升產(chǎn)能，并降低成本。

現階段經(jīng)過(guò)進(jìn)一步調整，ASML已經(jīng)可用其試驗性質(zhì)High-NA EUV光刻機打印生產(chǎn)8nm線(xiàn)寬，這是的新紀錄，這打破了該公司在4月初當時(shí)創(chuàng )下的記錄。當時(shí)ASML宣布，已使用位于A(yíng)SML荷蘭總部與imec聯(lián)合實(shí)驗室的試驗型High-NA EUV光刻機打印了10nm線(xiàn)寬。

就發(fā)展路線(xiàn)來(lái)說(shuō)，ASML的標準EUV光刻機可以打印13.5nm的線(xiàn)寬，而新的High-NA EUV光刻機則是可以通過(guò)打印8nm線(xiàn)寬來(lái)創(chuàng )建更小的晶體管。ASML現在已經(jīng)證明其設備可以滿(mǎn)足其基本規格。

Martin van den Brink強調，ASML當前已經(jīng)取得了進(jìn)展，能夠在整個(gè)打印線(xiàn)寬作業(yè)上將其低至8奈米記錄，并進(jìn)行校正，而且還具有一定程度的重疊覆蓋。因此，ASML對High NA EUV光刻機的發(fā)展充滿(mǎn)信心，預計未來(lái)將能夠在突破其極限。

而除了ASML自己在進(jìn)行High NA EUV光刻機的測試之外，目前唯一安裝完成High NA EUV光刻機的英特爾，也在美國俄勒岡州的D1X工廠(chǎng)投入測試工作。預計將在Intel 18A節點(diǎn)制程上進(jìn)行技術(shù)的研發(fā)與訓練工作，之后再將其投入到Intel 14A節點(diǎn)制程的大量生產(chǎn)當中。

Martin van den Brink指出，ASML已經(jīng)可以開(kāi)發(fā)更新一代的Hyper-NA EUV光刻機了，以進(jìn)一步擴展其High-NA EUV光刻機的潛在路線(xiàn)圖。

編輯：芯智訊-浪客劍