晶圓代工廠(chǎng)商持續發(fā)力3D芯片封裝技術(shù)

近期，媒體報道三星電子就計劃2024年推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（三星高級互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成。

據悉，三星SAINT將被用來(lái)制定各種不同的解決方案，可提供三種類(lèi)型的封裝技術(shù)，分別是垂直堆棧SRAM和CPU的SAINT S；CPU、GPU等處理器和DRAM內存垂直封裝的SAINT D；應用處理器（AP）堆棧的SAINT L。

目前，三星已經(jīng)通過(guò)驗證測試，但計劃與客戶(hù)進(jìn)一步測試后，將于明年晚些時(shí)候擴大其服務(wù)范圍，目標是提高數據中心AI芯片及內置AI功能手機應用處理器的性能。

近年，隨著(zhù)半導體元件微縮制程逼近物理極限，3D芯片先進(jìn)封裝技術(shù)備受業(yè)界重視，晶圓代工大廠(chǎng)也持續發(fā)力。除了三星之外，臺積電、英特爾與聯(lián)電亦在積極布局3D芯片先進(jìn)封裝技術(shù)。

其中，臺積電正大手筆測試和升級3D芯片間堆疊技術(shù)SoIC，以滿(mǎn)足蘋(píng)果和英偉達等客戶(hù)需求；英特爾已經(jīng)開(kāi)始使用新一代 3D芯片封裝技術(shù)Fooveros制造先進(jìn)芯片；聯(lián)電則于本月初推出晶圓對晶圓（W2W）3D IC項目，利用硅堆疊技術(shù)提供高效整合內存和處理器的尖端解決方案。