英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaN^TM半導體器件系列。這使客戶(hù)能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動(dòng)數字化和低碳化進(jìn)程。在馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaN^TM的優(yōu)勢和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場(chǎng)供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來(lái)五年GaN器件市場(chǎng)的年復合增長(cháng)率（CAGR）將達到46%。

英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部總裁Adam White表示：“這兩個(gè)系列的發(fā)布是建立在英飛凌去年收購GaN Systems的基礎之上，它們將為我們的客戶(hù)帶來(lái)更高的效率和性能。英飛凌新一代高壓和中壓CoolGaNTM系列展示了我們的產(chǎn)品優(yōu)勢，并且完全采用8英寸工藝制造，證明了GaN在更大晶圓直徑上的快速擴展能力。我們期待客戶(hù)通過(guò)這些新一代GaN器件推出各種創(chuàng )新應用?！?/p>

CoolGaN? G3系列晶體管和CoolGaN? G5系列晶體管

全新650 V G5系列適用于消費、數據中心、工業(yè)和太陽(yáng)能領(lǐng)域的應用。該系列產(chǎn)品是英飛凌基于GIT的新一代高壓產(chǎn)品。另一個(gè)采用8英寸工藝制造的全新系列是G3中壓器件，覆蓋了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶體管電壓等級，以及40 V雙向開(kāi)關(guān)（BDS）器件。G3中壓產(chǎn)品主要面向電機驅動(dòng)、電信、數據中心、太陽(yáng)能和消費應用。

供貨情況

CoolGaNTM 650 V G5將于2024年第四季度上市，CoolGaNTM G3中壓產(chǎn)品將于2024年第三季度上市。樣品現已開(kāi)始供應。