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三星(samsung)
三星(samsung) 文章 進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區
三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現？
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存
- IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(cháng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價(jià)格年內也不會(huì )
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三星電子已停止自動(dòng)駕駛汽車(chē)研究
- 5月14日消息，近日，據外媒報道，三星電子已停止自動(dòng)駕駛汽車(chē)研究，并且將研發(fā)人員轉移到機器人領(lǐng)域。負責三星中長(cháng)期發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已經(jīng)將自動(dòng)駕駛排除在研究項目之外，將開(kāi)發(fā)人員轉移到機器人領(lǐng)域，作為三星中長(cháng)期發(fā)展的一部分。在2023年的公開(kāi)活動(dòng)中，三星電子曾透露，由SAIT研發(fā)的自動(dòng)駕駛技術(shù)已接近"L4級"，并在2022年10月在韓國完成了長(cháng)達200公里的測試，且開(kāi)發(fā)了自動(dòng)駕駛汽車(chē)的半導體、顯示器和傳感器等相關(guān)技術(shù)。然而，由于開(kāi)發(fā)難度超出預期、高級別自動(dòng)就愛(ài)是商業(yè)化困
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實(shí)在太難了！三星跟進(jìn)蘋(píng)果「放棄自研自動(dòng)駕駛」
- 韓國媒體報導，繼蘋(píng)果暫停Apple Car計劃后，三星電子也決定叫停自駕車(chē)研發(fā)項目，轉而將研發(fā)人員投入機器人領(lǐng)域。這也讓曾被視為未來(lái)主流趨勢的「自駕車(chē)時(shí)代」，因多家車(chē)廠(chǎng)相繼放棄相關(guān)技術(shù)研發(fā)，而蒙上巨大陰影。根據BusiessKorea報導，由于預期自駕車(chē)商業(yè)化還需要一段長(cháng)時(shí)間，三星已經(jīng)放棄第4級（Level 4）自駕技術(shù)，也就是車(chē)輛能夠自動(dòng)行駛的研發(fā)階段。業(yè)界消息人士透露，三星內部負責中長(cháng)程發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已將自駕計劃排除在研究項目之外，并把相關(guān)研發(fā)人員轉調到機器人領(lǐng)域。三星去年曾成
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AI賽道，馬力全開(kāi)！
- 作為引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的戰略性技術(shù)，人工智能AI已經(jīng)成為新型工業(yè)化發(fā)展的重要推動(dòng)力之一。在ChatGPT熱潮推動(dòng)下，當前，AI人工智能及其應用在全球迅速普及。從產(chǎn)業(yè)格局來(lái)看，目前英偉達在A(yíng)I芯片市場(chǎng)幾乎掌握著(zhù)絕對的話(huà)語(yǔ)權。而與此同時(shí)，為加速占領(lǐng)風(fēng)口，以谷歌、微軟、蘋(píng)果等為代表的各大科技廠(chǎng)商都積極下場(chǎng)競賽。其中，Meta、谷歌、英特爾、蘋(píng)果推出了最新的AI芯片，希望降低對英偉達等公司的依賴(lài)，而微軟、三星等廠(chǎng)商在A(yíng)I方面的投資計劃及進(jìn)展亦相繼傳出。微軟：逾110億美元投資計劃公布微軟方面，近日，據多
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(cháng)
- 2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標志性事件，宣告著(zhù)新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。 在這波浪潮中，伴隨著(zhù)人才、數據、算力的不斷升級，AI產(chǎn)業(yè)正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現井噴的態(tài)勢，全球算力規模超高速增長(cháng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢脫穎而出，然
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三星存儲業(yè)務(wù)重心轉向企業(yè)領(lǐng)域： 目標今年 HBM 產(chǎn)量增加 3 倍，明年再翻番
- IT之家 5 月 8 日消息，三星公司在最近召開(kāi)的財報電話(huà)會(huì )議中表示，未來(lái)公司存儲業(yè)務(wù)的重心不再放在消費級 PC 和移動(dòng)設備上，而是放在 HBM、DDR5 服務(wù)器內存、企業(yè)級 SSD 等企業(yè)市場(chǎng)。IT之家翻譯三星存儲業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june 在電話(huà)會(huì )議上表達內容如下：我們計劃到 2024 年年底，HBM 芯片的供應量比去年增加 3 倍以上。我們已經(jīng)完成協(xié)調 HBM 芯片供應商，在共同努力下目標在 2025 年讓 HBM 芯片產(chǎn)量再翻一番。英偉達目前已經(jīng)轉型成為 AI 硬件巨頭，成為全
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美國的壓力未能減緩中國半導體的崛起：韓國感受到了壓力
- 盡管美國一直在努力限制中國的技術(shù)進(jìn)步，但來(lái)自韓國的報道表明一個(gè)令人擔憂(yōu)的現實(shí)：中國的半導體產(chǎn)業(yè)正在迅速趕上，對韓國在中國市場(chǎng)的主導地位構成了重大挑戰。與最初的預期相反，美國的壓力并沒(méi)有顯著(zhù)削弱中國的工業(yè)競爭力。事實(shí)上，中國不僅在智能手機和顯示器領(lǐng)域鞏固了自己的地位，而且在關(guān)鍵的半導體行業(yè)也取得了顯著(zhù)進(jìn)展，與韓國的發(fā)展步伐相媲美。這在中國智能手機市場(chǎng)上是顯而易見(jiàn)的，國內品牌如今已明顯領(lǐng)先于三星等韓國巨頭。數據顯示，三星在折疊手機市場(chǎng)的市場(chǎng)份額在2024年第一季度跌至僅有5.9%，與去年的11%相比顯著(zhù)下降，
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累計上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對內存等漲價(jià) 至少上調20%
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐?zhù)存儲漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤達到了6.606萬(wàn)億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場(chǎng)總體需求強勁，特別是生
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臺積電、三星赴美遇最大弱點(diǎn)：人才差太多
- 美國為了加強半導體制造在地化，推動(dòng)芯片法案補助臺積電、三星及英特爾等大廠(chǎng)，但各廠(chǎng)商卻接連出現人才不足，延后建廠(chǎng)時(shí)程與量產(chǎn)時(shí)間等問(wèn)題，華盛頓郵報直言，美國半導體產(chǎn)業(yè)最大的問(wèn)題還是人才，砸大錢(qián)找臺積電與英特爾，卻沒(méi)有足夠的人才庫，確實(shí)是比較差的一部分。報導提到，不僅是建廠(chǎng)的工人短缺，晶圓廠(chǎng)運作所需的技術(shù)員、工程師及計算機科學(xué)家也都不夠，為了讓更多人投入半導體產(chǎn)業(yè)，美國需要小區大學(xué)培訓、高中職業(yè)計劃甚至學(xué)徒制，但這些策略看似簡(jiǎn)單，實(shí)務(wù)執行上并不容易，相當復雜又費時(shí)。報導直言，臺積電設廠(chǎng)的所在地亞利桑那州，其實(shí)大
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AI數據中心熱潮席卷，廠(chǎng)商擴大功率半導體生產(chǎn)
- 據韓國媒體報導，2024年以來(lái)三星電子一直在不斷增加半導體（DS）部門(mén)旗下功率半導體研發(fā)人員的數量。原因是在當前服務(wù)器半導體市場(chǎng)中，隨著(zhù)生成式人工智能（AI）的熱潮來(lái)襲，服務(wù)器功耗迅速增加，使得對功率半導體需求也不斷增加，加上對電動(dòng)車(chē)和個(gè)人計算機等未來(lái)市場(chǎng)的需求，因此三星電子持續增加相關(guān)研發(fā)人員，并考慮追加投資，以擴大其功率半導體產(chǎn)能。根據朝鮮日報引用市場(chǎng)人士的說(shuō)法報導指出，三星電子2023年底成立了負責功率半導體業(yè)務(wù)的“CSS（化合物半導體解決方案）業(yè)務(wù)團隊”，并正在不斷增加功率半導體設計和生產(chǎn)的相關(guān)人
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全球兩大存儲廠(chǎng)新消息！
- 近日，三星、鎧俠兩大存儲廠(chǎng)公布新消息：三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開(kāi)始量產(chǎn)第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開(kāi)始量產(chǎn)，鞏固了其在NAND閃存市場(chǎng)的地位。據三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數據輸入/輸出速度提高33%，達到3.2Gbps。除了這個(gè)新接口外，三星還計劃通過(guò)擴大對PCIe 5.0的支持來(lái)鞏固其在高性能SSD市場(chǎng)的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，
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蘋(píng)果Apple Watch Series 10將采用新顯示屏技術(shù)
- 有關(guān)今年稍晚將推出的 Apple Watch Series 10 現在又有新傳聞流出，外傳蘋(píng)果升級了 Apple Watch Series 10 的顯示技術(shù)，因此新表款的電池續航力將有很大的提升。據《The Elec》報導，蘋(píng)果可能為 Apple Watch Series 10 換上 LTPO-TFT 屏幕技術(shù)。新顯示技術(shù)可降低 Apple Watch Series 9 與 Apple Watch Ultra 2 現有的屏幕功耗。雖然蘋(píng)果可能已經(jīng)放棄了為 Apple Watch 換上 Micro LED
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 手表 三星 LTPO-TFT LTPO OLED
三星(samsung)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條三星(samsung)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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