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三星(samsung)
三星(samsung) 文章 進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區
臺積電領(lǐng)先中國大陸、美國多少？專(zhuān)家爆最短只剩2年
- 瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術(shù)從2028年起，每年提升生產(chǎn)力至少1%，同時(shí)他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術(shù)領(lǐng)先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長(cháng)期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場(chǎng)，會(huì )中暢談全球經(jīng)濟脈動(dòng)與股市發(fā)展，提到目前最熱門(mén)的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術(shù)屬于輕資本，且目前已經(jīng)有20%的個(gè)人計算機開(kāi)放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預估2028年開(kāi)始，生成式人工
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星否認HBM3E品質(zhì)問(wèn)題，聲明巧妙回避
- 有報導稱(chēng)，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過(guò)熱和功耗過(guò)大等問(wèn)題，未能通過(guò)Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱(chēng)，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開(kāi)展HBM供應測試，強調將繼續合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶(hù)提供最佳解決方案?！比墙陂_(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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李強會(huì )見(jiàn)三星李在镕，呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作
- 當地時(shí)間5月26日下午，國務(wù)院總理李強在首爾出席第九次中日韓領(lǐng)導人會(huì )議期間會(huì )見(jiàn)韓國三星集團會(huì )長(cháng)李在镕。李強表示，三星對華合作是中韓兩國互利共贏(yíng)、合作發(fā)展的一個(gè)生動(dòng)縮影。隨著(zhù)兩國經(jīng)濟持續發(fā)展、新興產(chǎn)業(yè)不斷涌現，合作的前景將越來(lái)越廣闊。李強進(jìn)一步強調，外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量，歡迎三星等韓國企業(yè)繼續擴大對華投資合作，分享更多中國新發(fā)展帶來(lái)的新機遇。在會(huì )見(jiàn)期間，李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領(lǐng)域的合作。李強表示，希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數字經(jīng)濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫藥等新領(lǐng)域深挖合作
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三星集團會(huì )長(cháng)李在镕：堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛(ài)的企業(yè)
- IT之家 5 月 27 日消息，據新華社報道，當地時(shí)間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領(lǐng)導人會(huì )議期間，韓國三星集團會(huì )長(cháng)李在镕表示將“堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛(ài)的企業(yè)”。報道稱(chēng)，李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況，感謝中國政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)提供的大力支持，表示三星將堅持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛(ài)的企業(yè)，繼續為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱(chēng)，三星正在提高中國大陸手機產(chǎn)量，將 JDM（共同開(kāi)發(fā)設計制造）產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬(wàn)臺提升至 67
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三星否認自家 HBM 內存芯片未通過(guò)英偉達測試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過(guò)程”，同時(shí)強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認自家 HBM 內存芯片未通過(guò)英偉達測試
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過(guò)程”，同時(shí)強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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爭奪英偉達訂單？三星或不惜代價(jià)確保第二代3納米良率
- 繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務(wù)就是在代工業(yè)務(wù)方面搶下GPU大廠(chǎng)英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著(zhù)晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風(fēng)險，三星電子迫切尋求機會(huì )，為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。韓國媒體報導，根據市場(chǎng)人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門(mén)已經(jīng)在內部制定「Nemo」計劃，也就是要贏(yíng)得英偉達3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務(wù)。市場(chǎng)人士透露，三星電子晶圓代工部門(mén)的各單位正在全力以赴，把對英偉達的相關(guān)接單工作列為優(yōu)先。不過(guò)，現階段三星代工部門(mén)內并未成立專(zhuān)門(mén)的組織。事實(shí)
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良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗
- 全球半導體大廠(chǎng)韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過(guò)據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱(chēng)，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶(hù)的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說(shuō)，本月初EDA大廠(chǎng)新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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三星任命新CEO，隨著(zhù)AI對內存需求的增加，公司希望重新奪回市場(chǎng)份額
- 三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設備解決方案部負責人。設備解決方案部是三星半導體業(yè)務(wù)的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領(lǐng)導這一部門(mén)。在董事會(huì )和股東批準后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執行官。三星采用雙CEO系統，一位CEO負責半導體業(yè)務(wù)，另一位負責設備體驗（手機、顯示器等）。根據三星的說(shuō)法，Jun的主要目標是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強其競爭力?！盝un接替了現任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現在取代Jun擔任未來(lái)業(yè)務(wù)部的負責人，該部門(mén)于2023年成立，旨在
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OLED中國廠(chǎng)商表現強勁：出貨量前五名獨占四席
- 2024年第一季度全球OLED面板市場(chǎng)出貨量排名出爐，最新數據顯示中國廠(chǎng)商在OLED面板市場(chǎng)的表現令人矚目，前五名中獨占四席。隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求增加，預計未來(lái)中國將繼續成為全球OLED產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。根據群智咨詢(xún)的統計數據，全球智能手機面板市場(chǎng)在本季度出貨量約為5.4億片，同比增長(cháng)約24.4%。三星依然以42.4%的市場(chǎng)份額保持全球OLED智能手機面板市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊地位，掌握著(zhù)全球手機近一半市場(chǎng)。三星OLED面板利潤也是行業(yè)最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家產(chǎn)品使用，還有iP
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三星HBM3E沒(méi)過(guò)英偉達驗證，原因與臺積電有關(guān)
- 存儲器大廠(chǎng)美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過(guò)英偉達驗證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過(guò)驗證。外媒報導，三星至今未通過(guò)英偉達驗證，是卡在臺積電。身為英偉達數據中心GPU制造和封裝廠(chǎng)，臺積電也是英偉達驗證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數多少有影響。三星2024年第一季財報表示，八層垂直堆疊
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內存向DDR5內存過(guò)渡，此外在存儲器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場(chǎng)消息稱(chēng)，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著(zhù)三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內存，很可能帶動(dòng)DDR3內存的價(jià)格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶(hù)將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 內存 DRAM HBM
DDR3內存正式終結！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％
- 5月15日消息，據市場(chǎng)消息稱(chēng)，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò )交換機等。但對于芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，DDR3利潤微薄，無(wú)利可圖，形同雞肋。而在A(yíng)I的驅動(dòng)下，HBM高帶寬內存需求飆升，產(chǎn)能遠遠無(wú)法滿(mǎn)足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿(mǎn)，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預計明年
- 關(guān)鍵字： 存儲 DDR3 三星 SK海力士
三星(samsung)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條三星(samsung)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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