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三星(samsung)
三星(samsung) 文章 進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區
三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題，未能通過(guò)三星內部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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測試發(fā)現三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max
- ?2 月 6 日消息，和 iPhone 15 Pro Max 一樣，三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架，以提升手機的耐用性和輕量化程度。然而，兩款手機的鈦合金含量和品質(zhì)卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過(guò)火燒測試，揭示了其中的奧秘。此前，JerryRigEverything 已經(jīng)對 iPhone 15 Pro Max 進(jìn)行了同樣的測試，發(fā)現其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無(wú)損。這并不令人意外，因為測試所用的熔爐溫度不足以熔
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消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內存芯片
- 2 月 5 日消息，據報道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會(huì )上推出多款尖端內存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會(huì )議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì )上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個(gè)引
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2nm半導體大戰打響！三星2nm時(shí)間表公布
- 2月5日消息，據媒體報道，三星計劃明年在韓國開(kāi)始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬(wàn)億韓元，建立一個(gè)巨型半導體工廠(chǎng)，將進(jìn)行2nm制造。據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會(huì )上就披露了2nm芯片的早期細節，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術(shù)。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術(shù)，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
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消息稱(chēng)三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號
- 2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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英特爾超越三星，重返半導體行業(yè)榜首
- 根據Counterpoint Research的數據，2023年，由于企業(yè)和消費者支出放緩，全球半導體行業(yè)營(yíng)收同比下降了8.8%，下降至5213億美元。不僅再次受到周期性變化影響，而且遭遇了史無(wú)前例的重大挑戰 ——?存儲器收入下降37%，是半導體市場(chǎng)降幅最大的領(lǐng)域；非存儲器收入表現相對較好，下降了3%。因此，英特爾超越三星成為世界上最大的半導體芯片制造商。Gartner認為，英特爾之所以能占據榜首，是因為三星受到了內存組件疲軟的打擊：2023年，三星半導體芯片部門(mén)的營(yíng)收從2022年的702億美元
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2023印度手機戰報：三星18%領(lǐng)跑、vivo17%第二、小米16.5%第三
- 2 月 1 日消息，根據市場(chǎng)調查機構 Counterpoint Research 公布的最新報告，2023 年全年印度智能手機出貨量為 1.52 億部，和 2022 年持平。2023 年上半年，由于宏觀(guān)經(jīng)濟持續動(dòng)蕩，導致需求低迷和庫存積壓，智能手機市場(chǎng)出現諸多挑戰；2023 下半年，在升級 5G 浪潮以及電商促銷(xiāo)活動(dòng)下，印度智能手機市場(chǎng)開(kāi)始復蘇。三星三星主要得益于 Galaxy A 系列的強勁表現、積極的線(xiàn)下?tīng)I銷(xiāo)以及在高端市場(chǎng)的聚焦策略，在 2023 年以 18% 的份額領(lǐng)跑市場(chǎng)。vivovivo 重點(diǎn)圍
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1年利潤暴跌84.9%！三星樂(lè )觀(guān) 今年業(yè)績(jì)回暖：存儲漲價(jià)是開(kāi)始
- 2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過(guò)，全年利潤暴跌84.9%，確實(shí)沒(méi)辦法，不過(guò)他們保持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年營(yíng)收為258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.3%；營(yíng)業(yè)利潤為6.57萬(wàn)億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法，2024年上半年業(yè)績(jì)會(huì )回暖，其中以存儲產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì )停止，只會(huì )更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國內重量級NAN
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三星電子第四季度銷(xiāo)售額 67.78 萬(wàn)億韓元同比下降 3.81%，營(yíng)業(yè)利潤 2.8 萬(wàn)億韓元同比下降 34.4%
- IT之家 1 月 31 日消息，三星電子今日公布第四財季業(yè)績(jì)：第四季度合并營(yíng)業(yè)利潤為 2.82 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 151.72 億元人民幣）同比下降 34.4%，銷(xiāo)售額為 67.78 萬(wàn)億韓元（當前約 3646.56 億元人民幣）同比下降 3.81%。三星電子 2023 年綜合營(yíng)業(yè)利潤暫定為 6.567 萬(wàn)億韓元，比上年同期減少 84.86%。這是自上一次金融危機（2008 年為 6.0319 萬(wàn)億韓元）以來(lái)，三星電子的年度營(yíng)業(yè)利潤首次跌破 10 萬(wàn)億韓元。相對地，三星電子全年銷(xiāo)售
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三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢
- 三星稱(chēng)其已經(jīng)在美國硅谷開(kāi)設了一個(gè)新的內存研發(fā)（R&D）機構，專(zhuān)注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機構將在設備解決方案部門(mén)美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營(yíng)，由三星設備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái)，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠(chǎng)商，但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存，速率可達 3.2GB/s
- IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認的集成電路設計領(lǐng)域最高級別會(huì )議。根據會(huì )議公開(kāi)內容：屆時(shí)三星將展示其 GDDR7 內存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術(shù)，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關(guān)報道，而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數據密度最高的新型 NAND 閃存技術(shù)。從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb
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三星 Exynos 2400 芯片性能測試，光追性能力壓高通驍龍 8 Gen 3
- IT之家 1 月 26 日消息，根據 Golden Reviewer 公布的評測結果，在測試手機光線(xiàn)追蹤性能的 3DMark Solar Bay 測試中，三星 Exynos 2400 表現最佳。根據測試結果，三星 Exynos 2400 芯片得分為 8642 分，耗電量為 9.3W；作為對比高通驍龍 8 Gen 3 芯片得分為 8601 分，耗電量為 11.7W。這表明三星 Exynos 2400 芯片在支持光線(xiàn)追蹤的游戲上，性能最強最高效，凸顯了基于 AMD RDNA
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采用Corning? Gorilla? Armor，三星 Galaxy S24 Ultra開(kāi)創(chuàng )耐用性和視覺(jué)清晰度新標準
- 康寧，紐約州——康寧公司（紐約證券交易所代碼：GLW）和三星電子有限公司于2024年1月17日宣布，三星的Galaxy S24 Ultra設備將采用康寧的新型Corning? Gorilla? Armor蓋板材料。大猩猩Armor具有無(wú)與倫比的耐用性和視覺(jué)清晰度，能在陽(yáng)光下提供更豐富的顯示效果，并能更好地防止日常磨損造成的損壞?！翱祵幍拇笮尚?玻璃與Galaxy S系列一起推動(dòng)了創(chuàng )新，并在實(shí)現更高的耐用性方面取得了重大進(jìn)展，”三星電子執行副總裁兼移動(dòng)體驗業(yè)務(wù)機械研發(fā)團隊主管 Kwang
- 關(guān)鍵字： Corning 三星 Galaxy S24 Ultra 視覺(jué)清晰度
谷歌或選擇放棄三星，傾向于臺企制造下一代Tensor和AI芯片
- 谷歌去年帶來(lái)了Tensor G3，是首款支持AV1編碼的智能手機SoC，用在旗艦產(chǎn)品Pixel 8和Pixel 8 Pro上。不過(guò)Tensor G3與高通第三代驍龍8及聯(lián)發(fā)科天璣9300相比實(shí)在差得太多，性能差距更一步拉大，表現讓人失望，也迫使谷歌去尋找新的出路，將目光投向了中國臺灣。據相關(guān)媒體報道，谷歌已經(jīng)決定為T(mén)ensor系列尋找新的半導體代工廠(chǎng)，并已經(jīng)與部分企業(yè)接觸，比如京元電子就獲得了部分訂單。傳聞京元電子還得到了谷歌的投資，以確保制造過(guò)程中穩定且持續的供應，預計今年年中就會(huì )啟動(dòng)測試流程。除了Te
- 關(guān)鍵字： 谷歌 三星 臺企 Tensor AI 芯片
三星(samsung)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條三星(samsung)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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