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三星(samsung)
三星(samsung) 文章 進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區
3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導致 1 萬(wàn)億韓元損失？三星回應：毫無(wú)根據
- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報道，認為這則傳聞“毫無(wú)根據”。此前有消息稱(chēng)三星代工廠(chǎng)在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現缺陷，導致 2500 個(gè)批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當于每月 65000 片晶圓，損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱(chēng)其“毫無(wú)根據”，仍在評估受影響生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)品現狀。業(yè)內人士認為，報道中的數字可能被夸大了，并指出三星的
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羅德與施瓦茨和三星攜手為FiRa聯(lián)盟定義的安全測距測試用例的采用鋪平道路
- 羅德與施瓦茨和三星合作，共同驗證了超寬帶（UWB）物理層的安全測距測試案例，并評估基于FiRa規范的設備安全接收器特性。在FiRa 2.0技術(shù)規范中，規定了新的測試用例，旨在防止對基于UWB技術(shù)的安全測距應用進(jìn)行物理層攻擊。這些測試用例使用羅德與施瓦茨的R&S CMP200無(wú)線(xiàn)電通信測試儀，在三星最新的UWB芯片組上進(jìn)行了驗證。通過(guò)FiRa?聯(lián)盟驗證流程后，羅德與施瓦茨的CMP200無(wú)線(xiàn)電通信測試儀已成為FiRa 2.0 PHY測試的認證工具。成功驗證物理層安全測試用例后，羅德與施瓦茨和三星共同努
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美國對中國半導體制裁下：韓國最杯具 半導體設備賣(mài)不出庫存積壓嚴重
- 6月25日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，自從美國對中國實(shí)施半導體領(lǐng)域制裁以來(lái)，韓國最難受，因為其半導體舊設備庫存積壓嚴重。韓國半導體舊設備庫存積壓嚴重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì )進(jìn)行一次全面清理，售賣(mài)來(lái)自美國和歐洲的舊設備，以換取數億美元現金。自2022年10月起美國開(kāi)始限制對華半導體設備出口（包括二手設備）以來(lái)，韓國半導體制造商已將大部分舊設備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設備，但不出售前段工藝設備；SK海力士同樣不出售來(lái)自美國、歐洲的舊的前段
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可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿(mǎn)載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現有先進(jìn)封裝技術(shù)高數倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱(chēng)，為應對未來(lái)AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計劃是利用類(lèi)似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線(xiàn)層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問(wèn)題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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消息稱(chēng)三星 Exynos 2500 芯片良率目前不足 20%，能否用于 Galaxy S25 手機尚不明朗
- IT之家 6 月 21 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日報道稱(chēng)，三星電子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未來(lái)能否用于 Galaxy S25 系列手機尚不明朗。韓媒報道指出，三星電子一般要到芯片良率超過(guò) 60% 后才會(huì )開(kāi)始量產(chǎn)手機 SoC，目前的良率水平離這條標準線(xiàn)還有不小距離。三星電子為 Exynos 2500 芯片量產(chǎn)定下的最晚時(shí)間是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部門(mén)還有一段時(shí)間提升下代旗艦自研手機 SoC 的良率。如果到時(shí)良率仍然不足，那三
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英偉達、臺積、三星互搶 半導體挖角戰
- 眼看人工智能（AI）市場(chǎng)需求快速擴大，全球半導體業(yè)爭奪人才的競爭日益白熱化。韓媒披露，根據LinkedIn截至6月18日的數據，AI芯片龍頭英偉達有515名員工是從三星電子挖角，而三星也還以顏色，不但從英偉達挖來(lái)278人，還從臺積電挖走195人。但目前挾著(zhù)AI芯片霸主光環(huán)的英偉達，還是最大贏(yíng)家。 韓國朝鮮日報20日根據專(zhuān)業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英（LinkedIn）截至今年6月18日為止資料統計，英偉達近日新進(jìn)員工有89人是從臺積電跳槽，反觀(guān)臺積電僅12名新進(jìn)人員是從英偉達跳槽。英偉達也有515名新進(jìn)員工是從三星電子
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三星新旗艦手機將棄自家芯片
- 三星下一代旗艦手機Galaxy S25系列，可能完全采用高通處理器，原因是三星自家Exynos 2500處理其3納米制程良率低于預期，導致無(wú)法出貨，而臺積電為高通Snapdragon 8 Gen 4處理器獨家代工廠(chǎng)，可望跟著(zhù)受惠。若上述消息成真，對韓國最大企業(yè)三星是一大打擊，也凸顯其晶圓代工技術(shù)看不到臺積電車(chē)尾燈。天風(fēng)證券分析師郭明錤日前在社群平臺X發(fā)文表示，高通可能成為Galaxy S25系列唯一的處理器供貨商，關(guān)鍵在于三星的Exynos 2500處理器其3納米晶圓代工良率低于預期，可能導致無(wú)法出貨。而
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臺積電漲價(jià)卻滿(mǎn)手訂單 韓媒低頭認三星2大敗筆
- 臺積電3納米產(chǎn)能供不應求，預期訂單滿(mǎn)至2026年，日前傳出臺積電3納米代工價(jià)調整上看5％以上，先進(jìn)封裝明年年度報價(jià)也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺積電漲價(jià)三星并未獲得轉單好處，主因大客戶(hù)優(yōu)先考慮的并非價(jià)格，而是高良率與先進(jìn)制程的可靠生產(chǎn)力。 韓媒BusinessKorea以「臺積電漲價(jià)仍留住客戶(hù)的原因是什么？」為題撰文指出，輝達執行長(cháng)黃仁勛6月初在臺北國際計算機展期間，曾表示支持臺積電提高代工價(jià)格，并表示蘋(píng)果、高通等也將會(huì )接受臺積電漲價(jià)。由于臺積電3納米供應嚴重短缺，產(chǎn)生繼續漲價(jià)的空間，報導續
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NAND市場(chǎng)，激戰打響
- 隨著(zhù)人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
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AI人才爭奪戰白熱化！ 三星出招應對員工跳槽英偉達
- 隨著(zhù)AI風(fēng)潮席卷全球，相關(guān)人才爭奪戰已經(jīng)逐漸白熱化，而身為AI霸主的英偉達更是許多工程師心中的夢(mèng)幻企業(yè)。不過(guò)據韓媒報導，在英偉達大力吸引韓國在內的全球工程師之際，人才流失嚴重的三星電子也不甘示弱從英偉達挖角，連臺積電、美光與英特爾等半導體廠(chǎng)商都成為挖角對象。 韓國《朝鮮日報》以招聘平臺領(lǐng)英的數據所做的分析結果顯示，在英偉達的員工當中，有515人（以加入領(lǐng)英為基準）來(lái)自三星電子，而三星則從英偉達挖走278人。面對龐大的人才流失，三星除了從英偉達挖角，還從臺積電、英特爾與美光下手。三星電子有195名員工來(lái)自于
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三星殺進(jìn)英偉達后院？投資GPU撈過(guò)界
- 不當AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元 （GPU）領(lǐng)域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達正面競爭。業(yè)界認為，此投資案可望強化三星在GPU領(lǐng)域競爭力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導體制造流程，而不是推出新款GPU產(chǎn)品，游戲玩家別期待了。 韓媒Business Korea報導，三星投資GPU的細節并未對外揭露，但這次決策與以往專(zhuān)注于內存、晶圓代工等服務(wù)有所不同，格外引人矚目。部分市場(chǎng)人士解讀，這項投資是三星的內部策略，目的在于利用GPU來(lái)提升半導體制程創(chuàng )新，而不是要開(kāi)發(fā)、制造GP
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠(chǎng)制程節點(diǎn)
- 根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠(chǎng)三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠(chǎng)和英特爾的競爭。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠(chǎng)投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計劃于2024年底開(kāi)始分階段運營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負責人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠(chǎng)，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
三星(samsung)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條三星(samsung)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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