三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達所有測試，預計今年底開(kāi)始交付

三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達的測試。此前有報道稱(chēng)，已從多家供應鏈廠(chǎng)商了解到，三星的HBM3E很快會(huì )獲得認證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。

據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒(méi)有最終確定供應協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預計今年底開(kāi)始交付。

值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品，正在努力通過(guò)英偉達的驗證測試。有行業(yè)專(zhuān)業(yè)指出，SK海力士也準備了12層垂直堆疊的HBM3E產(chǎn)品，三星總體進(jìn)度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英偉達主要的HBM產(chǎn)品供應商，而美光之前已開(kāi)始向英偉達供應HBM3E芯片，逐漸提升了市場(chǎng)占有率。

隨著(zhù)人工智能（AI）市場(chǎng)的快速增長(cháng)，HBM技術(shù)通過(guò)垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片來(lái)顯著(zhù)提高數據處理速度，已經(jīng)變得越來(lái)越重要。隨著(zhù)三星的HBM3E開(kāi)始通過(guò)英偉達的驗證，預計至少20%到30%的產(chǎn)能轉移到HBM產(chǎn)品，這將進(jìn)一步收縮普通DRAM芯片的供應，很可能會(huì )推動(dòng)DDR5內存價(jià)格上漲。