公司 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達測試？三星回應稱(chēng)并不屬實(shí)

IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時(shí)候路透社報道稱(chēng)，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達測試?，F據韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應稱(chēng)該報道并不屬實(shí)。

對于這一傳聞，三星明確回應稱(chēng)：“我們無(wú)法證實(shí)與客戶(hù)相關(guān)的報道，但該報道不屬實(shí)?！?/span>

此外，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進(jìn)行中，與上月財報電話(huà)會(huì )議時(shí)的情況相比沒(méi)有任何變化。此前路透社的報道稱(chēng)，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過(guò)英偉達的測試，并將于第四季度開(kāi)始供貨。

IT之家注意到，三星電子在 7 月 31 日公布第二季度財報的電話(huà)會(huì )議上表示，已向包括英偉達在內的主要客戶(hù)提供了其 8 層 HBM3E 產(chǎn)品的樣品，目前正在進(jìn)行質(zhì)量測試，預計第三季度開(kāi)始量產(chǎn)供貨。