英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？

英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 

相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。

業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驅動(dòng)更精細的曝光尺寸，這會(huì )加速投影光學(xué)器件和光罩的磨損，抵消了更高產(chǎn)能的優(yōu)勢。

而臺積電早在 2019 年就開(kāi)始在芯片量產(chǎn)中使用 EUV 光刻機，雖然比三星晚了幾個(gè)月，但是比英特爾早了幾年的時(shí)間。當前，英特爾希望在 High-NA EUV 領(lǐng)域搶先三星和臺積電，以獲得一定的技術(shù)和戰略?xún)?yōu)勢，增加客戶(hù)的青睞程度。 

未來(lái)，隨著(zhù)臺積電采用 High-NA EUV 光刻機，晶圓代工廠(chǎng)商先進(jìn)制程技術(shù)之爭又將如何發(fā)展，則需要后續持續觀(guān)察。