SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM
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SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202107/426905.htm* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì )(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。 |
自從10納米級DRAM產(chǎn)品開(kāi)始，半導體業(yè)內將每一代工藝節點(diǎn)都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節點(diǎn)。公司預計從下半年開(kāi)始向智能手機廠(chǎng)商供應適用1a納米級技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。
此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的DRAM，其意義非凡。SK海力士在此前生產(chǎn)1y納米級產(chǎn)品過(guò)程中曾部分采用了EUV技術(shù)，事先完成了對其穩定性的驗證。
* EUV (Extreme Ultraviolet)：指利用極紫外線(xiàn)的光刻設備 |
工藝的極度細微化趨勢使半導體廠(chǎng)商陸續導入EUV設備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當中。業(yè)界認為采用EUV技術(shù)的水平將成為今后決定技術(shù)領(lǐng)導地位的重要因素。SK海力士通過(guò)此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩定性，并表示未來(lái)的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進(jìn)行生產(chǎn)。
SK海力士期待通過(guò)新產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級工藝的同樣規格產(chǎn)品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續增長(cháng)的背景下，公司期待1a納米級DRAM在全球存儲半導體供需中扮演重要角色。
此次新產(chǎn)品穩定支持 LPDDR4 移動(dòng)端DRAM規格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%. SK海力士認為此次新產(chǎn)品進(jìn)一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少，充分體現了SK海力士注重ESG（環(huán)境、社會(huì )、公司治理）經(jīng)營(yíng)的精神理念。
在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計劃從明年初開(kāi)始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
SK海力士1a納米級DRAM領(lǐng)導小組（Task Force）的曹永萬(wàn)副社長(cháng)表示：“此次量產(chǎn)的1a納米級DRAM在生產(chǎn)效率和成本競爭力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。通過(guò)將EUV技術(shù)全面導入量產(chǎn)程序，SK海力士有望進(jìn)一步鞏固引領(lǐng)尖端技術(shù)的高新企業(yè)地位?！?/p>
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