今年全球半導體支出將首次突破1000億美元，內存投資繼續瘋狂

　　IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過(guò)1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(cháng)了9%，比2016年增長(cháng)了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長(cháng)。

　　如圖所示，超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對現有晶圓廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)和全新制作設施的升級?？偟膩?lái)說(shuō)，預計今年內存將占到半導體資本支出的53%，達到540億美元。用于存儲器件的資本支出比例在六年內大幅增加，幾乎在2013年27%占比(147億美元)的基礎上翻了一番，2013~2018年復合年增長(cháng)率相當于達到30%。

　　從具體產(chǎn)品類(lèi)別來(lái)看，預計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預計用于閃存產(chǎn)品的支出占今年的最大比例，如下圖。預計2018年DRAM/SRAM市場(chǎng)的資本支出將在2017年強勁增長(cháng)82%以后再次達到41%的增長(cháng)幅度，而今年閃存支出繼2017年增長(cháng)91%之后也將再次增長(cháng)13%。

　　經(jīng)過(guò)連續兩年的資本支出大幅增長(cháng)，半導體廠(chǎng)商眼下面臨一個(gè)迫在眉睫的問(wèn)題，即高水平的支出是否會(huì )導致產(chǎn)能過(guò)剩和價(jià)格下降。存儲歷史教訓表明，過(guò)多的支出通常會(huì )導致產(chǎn)能過(guò)剩和隨之而來(lái)的價(jià)格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、SanDisk和長(cháng)江存儲等廠(chǎng)商都計劃在未來(lái)幾年內大幅提升3D NAND閃存容量，還將有中國大陸其他新的內存廠(chǎng)商加入這一大軍。IC Insights認為，未來(lái)3D NAND閃存市場(chǎng)需求過(guò)高的風(fēng)險不斷高漲。